...
首页> 外文期刊>Неорганические материалы >ГЛУБОКАЯ ОЧИСТКА GeH_4, ОБОГАЩЕННОГО ~(76)Ge, МЕТОДОМ РЕКТИФИКАЦИИ
【24h】

ГЛУБОКАЯ ОЧИСТКА GeH_4, ОБОГАЩЕННОГО ~(76)Ge, МЕТОДОМ РЕКТИФИКАЦИИ

机译:整流法深度纯化〜(76)Ge中富集的GeH_4

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

Методом низкотемпературной ректификации проведена глубокая очистка моногермана, обогащенного изотопом ~(76)Ge. Природа и содержание молекулярных примесей в образцах моногермана установлены методами хромато-масс-спектрометрии, ИК-фурье-спектроскопии высокого разрешения и газовой хроматографии. Содержание примесей (мол. %) углеводородов в ректификате не превышает 10~(-5), диоксида углерода - 10~(-4), ди- и тригермана - 10~(-1)-10~(-3), других примесей — <3 × 10~(-5). Особенностью примесного состава изотопно обогащенных образцов моногермана является присутствие примесей тетрафторида кремния и гексафторида серы.
机译:采用低温精馏法对富含〜(76)Ge同位素的单锗烷进行了深度纯化。通过气相色谱-质谱,高分辨FT-IR光谱和气相色谱法确定了单锗烷样品中分子杂质的性质和含量。精馏物中碳氢化合物的杂质含量(mol%)不超过10〜(-5),二氧化碳-10〜(-4),二和特里格曼-10〜(-1)-10〜(-3),其他杂质-<3×10〜(-5)。单锗烷同位素富集样品的杂质组成特征是存在四氟化硅和六氟化硫的杂质。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号