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PSII(プラズマソースイオン注入)法による硬質皮膜製作の現状と金型への応用

机译:PSII(等离子源离子注入)方法生产硬膜的现状及其在模具中的应用

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摘要

3次元イオン注入法であるPSII,PBII  PHIII法は表面改質技術として研究されつつある。 この技術は基板バイアス電圧が数十kV~数百kVである。 このために高額の設備費,Ⅹ線対策等により産業化に不向きである。   我々の負パルスバイアスイオンビーム法は,注入効果に重点を置かず,あくまでもコーティングのためのサポート的効果(付き回り·密着力改善)として用いているために数kVである。 しかしながら,装置全体の基本システムを変えることなく,従来のDLC膜に比較し,多面に於いて向上が確認できた。   負パルスバイアスイオンビーム技術の成果によりァ  密着力·付き回りの改善·硬度制御による内部応力緩和が行え,今後は超硬合金以外にもダイス鋼·ハイス鋼等の金型·刃物頬等に積極的に利用されていくであろう.また硬度等に代表されるようにDLCの物性をコントロール(電気抵抗率·熱伝導率等も)できることが確認されている。 今後は特に半導体デバイス材としての研究が始まると考えられる。
机译:作为表面改性技术,正在研究三维离子注入方法PSII和PBII PHIII。该技术具有数十至数百kV的衬底偏置电压。因此,由于高昂的设备成本和X线的措施,它不适合工业化。我们的负脉冲偏压离子束方法不专注于注入效果,而只有几kV,因为它被用作涂层的支撑效果(提高车削和附着力)。但是,与传统的DLC膜相比,在许多方面都得到了改进,而没有改变整个装置的基本系统。负脉冲偏压离子束技术的成果使通过控制硬度来改善附着力,旋转和内部应力成为可能,将来,除了超硬合金以外,我们还将积极研究模具钢,高速钢和叶片颊板等模具。将用作目标。还已经证实,可以控制以硬度表示的DLC的物理性质(电阻,导热率等)。将来,作为半导体器件材料的研究有望开始。

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