チョクラルスキー法による大型フッ化カルシウム単結晶の開発

摘要

半導体メモリーの大容量化、CPU等の高性能化に伴い、回路パターンはより微細化が求められている。 リソグラフィの微細化は、露光装置の光源である紫外線の短波長化により進められてきた。 g線（436nm）からi線（365nm）へ、さらにKrFエキシマレーザー（248nm）、現在ではArFエキシマレーザー（193nm）が導入されている。また、次世代のArF露光装置では高解像度を得るために、液浸技術や偏光照明技術等が付加されていく。 ArF露光装置のレンズには、合成石英やフツ化カルシウム（CaF_2）単結晶が使用されるが、特に高強度の紫外線レーザーが照射される光源系や投影系の一部には、レーザーの透過性や耐久性に優れるCaF_2単結晶が採用されている。