不純物偏析シヨツトキー接合トランジスタ

摘要

シリコンULSI（UltraLSI）の高性能化は，その構成素子である電界効果トランジスタ（FET）を微細化することによって実現されてきた。 FETの微細化においては，チャネル長を短くし，ゲート酸化膜厚を薄くすることに加え，ソース。 ドレイン層を浅くし，低抵抗にすることが本質的に重要である。 　 最近，ソース。 ドレイン層を，従来の不純物をドープしたシリコン層（拡散層）ではなく，金属によって形成する技術が注目されている。 これは，金属と拡散層とを比較した場合，金属の方が浅い接合を形成することが容易で，しかも圧倒的に低抵抗であるためである。 このように，ソース。 ドレイン接合を，拡散層によるpn接合ではなく，金属／シリコン接合（ショットキー接合）で実現したFETをショットキー接合トランジスタ（以下，SBTと略記）と呼ぶ（図1）。 SBTは，前述した，浅くて低抵抗なソース。 ドレイン層を実現しやすいという特長に加えて，微細FETの問題点である短チャネル効果に対する耐性が高いなど，様々な利点を持っていることから，将来の高速デバイスの候補として注目されているし。