液相析出法によるYSZ薄膜の作製と導電率測定

摘要

これらの結果より、液相析出法による製膜においてDTPAをF~-イオンに対するマスキング剤として用いることでY~（3＋）イオンを膜中へ効率よく含有させることができ、その含有量も制御可能であった。また、得られた薄膜は単斜晶への相転移を起こさず、Y~（3+）によって安定化されていることが明らかとなった。今度作製したY~（3＋）イオンの含有量が制御された薄膜はEDTAを用いて作製した試料より高い導電率を示した。