スピントロニクス入門：トンネル磁気抵抗効果

摘要

本稿では、スピントロニクスにおいて最近特に注目を集めているトンネル磁気抵抗（Tunnel Magnetoresistance、略してTMR）効果を、理工系学部の学部生を対象に紹介したいと思います。 TMR効果はハード·ディスク·ドライブ（HDD）の読み取りヘッドに応用され、この新型のヘッドを搭載したHDDはすでに出荷されています。 またTMR効果を用いた究極の不揮発性高速メモリ“MRAM”（MagnetoresistiveあるいはMagnetic Random Access Memory）の開発も現在世界中で盛んに行われています。