S帯,1kW高効率AlGaN/GaN HEMTパレットアンプ

摘要

我々はAlGaN/GaN HEMTを用いS帯ハイパワーパレットアンプを開発した。 開発したパレットアンプは、パルス幅200μs·Duty＝10％のゲートパルス条件下で、周波数2.9GHz-3.3GHzの400MHz帯域·ドレイン電圧65Vで飽和出力約800W·ドレイン効率52％以上を達成した。 ドレイン電圧80V·周波数3.2GHzにおいては1kWの出力を記録した。 また、過渡熱抵抗を用いた熱解析と、赤外線カメラによる実測定の結果、ハイパワーレーダーアプリケーション用途で、熱的に十分余裕があることが確認できた。