二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa{sub}2S{sub}4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性

摘要

蒸着時の薄膜に対する汚染の低減及び膜質の向上を目的として2個の電子銃を用いた二源EB蒸着法によりSrGa{sub}2S{sub}4:Eu薄膜蛍光体の作製を試み，従来の抵抗加熱法による多元蒸着法により作製したSrGa{sub}2S{sub}4:Eu薄膜との比較·検討を行った．二源EB蒸着法により作製した薄膜では，Eu{sup}(2+)による530nm付近にピークを持つ緑色発光を得ることができ，抵抗加熱法の薄膜と比較してPL強度，CL輝度いずれにおいても桁違いに高く，二源EB蒸着法がSrGa{sub}2S{sub}4:Eu薄膜蛍光体の作製に有効であることが示された．Va=3kV，Js=60μA/cm{sup}2励起のCLでは，二源EB蒸着法により積層蒸着した薄膜において約4400cd/m{sup}2，同時蒸着した薄膜において約1100cd/m{sup}2の輝度を得られた．CIE色度座標は (0.26，0.69）であった．