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赵妙; 周代兵; 谭满清; 王晓东; 吴旭明;
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心;
薄膜; 介质光学膜; 双源电子束蒸发; 折射率; 蒸发速率;
机译:SiO / SiO_2薄膜电子束蒸发法制备单层和双层Si纳米晶体
机译:利用Si源的Si的高级硝酸氧化法制备5-10 nm SiO_2 / Si结构的最佳条件。
机译:SRGA {SUB} 2S {SUB} 4:由双源电子束蒸发制备的EU薄膜的低速电子束激发发光特性。
机译:通过溶胶-凝胶工艺在SiO_2 / Si上制备的LiNbO_3薄膜用于有源SOS器件应用
机译:制备工艺对锌双丝电弧喷涂涂层在钢上结合强度的影响。
机译:Si和Ge纳米线通过电子束蒸发生长的动力学
机译:完全消耗硬质合金(C3)介质隔离工艺制备si器件的电学特性
机译:双苯并A杂化合物,制备双苯并ISP杂化合物的工艺和使用双苯并SI杂化合物的有机薄膜晶体管
机译:氮化硅膜Si_3N_4或氧化硅膜SiO_2的高温石墨实验容器及其制造方法
机译:使用化学计量改性的氮化物蚀刻停止层进行高密度选择性SiO_2:Si_3N_4蚀刻
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