电子束蒸发制备Si0.95Co0.05稀磁半导体薄膜

摘要

用放电等离子体烧结技术（SPS）制备Si:Co靶，并用电子束蒸发技术制备了Si:Co稀磁半导体薄膜。薄膜分别在200 oC、300 oC、400 oC下退火10分钟，利用交变梯度磁强计分别测量退火前后各组样品的磁性，结果显示，在300 oC下退火的样品磁性最强，200 oC下退火的磁性次之，未退火的磁性最弱。实验中还对样品进行了XRD测量，结果表明样品为非晶态。实验说明，电子束蒸发是制备硅基稀磁半导体的有效方法。