机译:在低衬底温度下通过共蒸发法制备成膜的MgB2薄膜
机译:共蒸发法制备的MgB2生长薄膜的优化制备
机译:分子束外延法优化MgB2薄膜的共蒸发条件
机译:电子束蒸发和活化等离子体沉积技术制备非掺杂ZnO TCO薄膜
机译:蒸镀镍锰锑化物薄膜的制备,表征和自旋极化隧穿研究。
机译:电子束蒸发ITO / CdO /玻璃薄膜的表征
机译:反应磁控溅射和电子束蒸发技术制备的TiO 2薄膜的光学性能比较
机译:离子镀技术制备氢化非晶硅薄膜和薄膜太阳能电池的制备与表征。最终报告,1979年1月1日至1980年5月31日