电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究

摘要

研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅（a-Si）光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明，在300～1100nm的波长范围内，真空室真空度、基片温度和沉积速率越高，则所得a-Si薄膜折射率越高，消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a—Si膜镀制，发现在选择初始真空为1E-6×133 Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0．2nm／s时所得高反镜的光学特性比较好，在808nm处折射率和消光系数分别为3．1和1E-3。