5kV 360 A SiC pnダイオードモジュールを用いたIGBTインバータの冷却系の検討

摘要

本論文では，Si-IGBTとSiC pnダイオードを組み合わせた場合の発生損失と冷却フィンの関係を検討する。具体的には，金属パッケージにSiCダイオードチップを組み込んだダイオードモジュールを製作し，4.5kV級Si-IGBTと組み合わせてスイッチング特性を測定する。この測定結果をもとに近似計算で損失を算出する。算出した損失をもとに，冷却フィン体積を推定して，SiC pnダイオードに置き換えた効果を明らかにする。