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SiC-MOSFET 与Si-IGBT单相逆变器的对比研究

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研究SiC逆变器,SiC功率器件相比于Si功率器件,具有耐温、耐压高等优势.本文将SiC-MOSFET及SiC-SBD应用于额定输入功率1.8KW、20kHz的逆变器中,通过仿真分析计算SiC-MOSFET损耗远远低于Si-IGBT损耗,使用SiC-MOSFET的逆变器具有转换效率高、发电量高的优势,最后由仿真验证了理论分析的正确性.

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来源
《中国电工技术学会电力电子专业委员会第十五届学术年会》||1034-1037|共4页
会议地点济南
作者
张春美; 蒲红斌; 陈治明; 曹琳;
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作者单位

中国电工技术学会电力电子专业委员会;

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正文语种
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关键词
单相逆变器; 驱动电路; 转换效率; 发电量;

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