SiC-MOSFETとSi-IGBTを用いた単相PWMインバータの電磁鋼板における鉄損特性のまとめ

摘要

オン電圧は電力用半導体だけでなく，還流ダイオードも影響があると指摘されているため，SiC-MOSFETのモデルには，オン電圧の低いショットキーバリアダイオードを用い，Si-IGBTのモデルには，オン電圧が高いSi-diodeを用いた。そして，電力用半導体やダイオードといった各素子を実験条件に合わせてオン電圧を測定し，実測値を得た．その上で，リング試料による鉄損評価を行い，オン電圧が鉄損へ与える影響について調査したので報告する。