Leistungsvergleich Si-IGBT und SiC-MOSFET

摘要

Heutzutage kommen in industriellen Antrieben vorwiegend die bekannten, auf Silizium-IGBTs basierenden Wechselrichter zum Einsatz. Durch die kürzliche Entwicklung von MOSFETs auf der Basis von Siliziumkarbid (SiC) jedoch erschließen sich auf diesem Gebiet neue Szenarien. Die SiC-MOSFET-Technologie von ST Microelectronics bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit, gute Schalteigenschaften und eine vernachlässigbare Sperrverzögerungsenergie während des Abschaltens der Body-Diode im Vergleich zu Silizium-Freilaufdioden.