垂直磁化L1{sub}0-FePt/MgO/L1{sub}0-FePt(001) 3層構造の作製とトンネル磁気抵抗効果

摘要

強磁性トンネル接合(MTJ)は磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)等への応用に関して注目を集めている。 L1{sub}0-FePt合金は，大きな結晶磁気異方性(K{sub}u＝7.0×10{sub}7 erg/cc)を有するため，L1{sub}0-FePtを用いたMTJはMRAM等の高集積化におけるMTJの微細化に伴う磁化の熱揺らぎの問題に対して有効であると期待される。本研究ではMgO(001)をバリア層に用いることで上下のL1{sub}0-FePt電極層の磁化容易軸（c軸）を膜面垂直方向にそろえたMTJを作製した。