L1{sub}0-FePt(001)垂直磁化膜を用いたトンネル接合の作製

摘要

強磁性トンネル接合(MTJ)は磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)等への応用に関して注目を集めている。 L1{sub}0構造を有するFePt規則合金は，大きなスピン分極率に加えて，結晶磁気異方性(K{sub}u＝7.0×10{sup}7 erg/cc)を有するため，FePt規則合金を用いたMTJはMRAM等の高集積化，すなわちMTJの微細化に伴う磁化の熱ゆらぎの問題に対して有効であると期待される。しかし，磁化の熱安定性の実現は，磁化反転しにくいことを意味し，磁化反転に関する検討も必要である。 垂直磁化を有するMTJは，磁化反転機構が通常の面内磁化のMTJとは異なっており，磁化反転に関する技術開発において，最近興味がもたれている。 本研究では，垂直磁化を有するFePt(001)規則合金電極を用いてMTJの作製を試みた。