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俞伟钧; 钱显毅; 黄致新;
常州工学院,理学院,江苏,常州,213002;
常州工学院,电子信息与电气工程学院,江苏,常州,213002;
华中师范大学,物理科学与技术学院,武汉,430079;
非晶薄膜; 磁特性; 垂直磁化; 组分影响;
机译:TBCO非晶垂直磁化膜的磁化反转行为的温度变化
机译:Tb_(12)CO_(88)的温度在非晶垂直磁化膜的磁化反转的行为改变
机译:垂直磁化GdFeCo非晶膜自旋孔效应使磁化反转
机译:制备硅膜的Mtcrostructure在从非晶 - 纳米晶的相变状态附近制备的硅膜
机译:热机械加工的硫和硼掺杂非晶碳膜的制备和表征。
机译:前驱体C2H2分数对磁控溅射沉积制备的含Si和Ag的非晶碳复合膜的组织和性能的影响
机译:通过溅射制备的稀土化金属非晶合金膜的垂直磁各向异性。
机译:甲烷等离子体制备氢化非晶碳膜的光学特性
机译:非晶合金组分的制备装置,制备方法,非晶合金组分和电子装置
机译:垂直磁化膜的前驱体结构,垂直磁化膜结构及其制造方法,使用它们的垂直磁化型隧道磁阻接合膜及其制造方法,以及使用它们的垂直磁化型隧道磁阻接合元件。
机译:垂直磁化膜,多层膜和用于垂直磁化膜的垂直磁化膜的制造方法无效
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