GaNナノコラムにおけるランダムレージング

摘要

GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nm程度、高さ1μm程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことから結晶性に優れ、誘導放出光も観察されている。 一方、GaNナノコラムは基板上にランダムに配置していることから、2次元ランダム系ととらえることが出来、光の強い局在効果が期待される。本研究では、ランダム系における光の局在現象の一つであるランダムレージングを、GaN系半導体として初めて観察した。 また、コラム密度の異なるサンプル間の比較や、2次元FDTDによるシミュレーション計算より、観察されたランダムレージングと光の強局在の関連性を明らかにした。