GaNナノコラムにおけるランダムレージング

摘要

GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nm程度、高さ1μm程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことから結晶性に優れ、誘導放出光も観察されている。一方、GaNナノコラムは基板上にランダムに配置していることから、2次元ランダム系ととらえることが出来、光の強い局在効果が期待される。本研究では、ランダム系における光の局在現象の一つであるランダムレージングを、GaN系半導体として初めて観察した。また、コラム密度の異なるサンプル間の比較や、2次元FDTDによるシミュレーション計算より、観察されたランダムレージングと光の強局在の関連性を明らかにした。%Self-organized GaN nanocolumns are one-dimensional columnar nano-crystals, which have about 100 nm in diameter and 1 μm in height. Nanocolumns have high optical properties due to almost dislocation-free nature. And also, strong localization of light is expected in nanocolumns due to it's randomly distribution. In this study, we observed the random laser action in self-organized GaN nanocolumns for the first time. Polarization behavior, sample dependence, and theoretical approach using 2D-FDTD method will be also presented.