反応性スパッタ法によるCuInS{sub}2薄膜の作製と評価

摘要

Cu及びInターゲット前での基板停止時間を原子層オーダー程度で制御し，反応性ガスCS{sub}2雰囲気中で各金属ターゲットを交互スパッタすることにより，[Cu]/[In]比の異なる薄膜を作製した．薄膜の組成は，高CS{sub}2ガス分圧では(Cu{sub}2S，Cu{sub}1.96S)-(CuInS{sub}2)-(CuIn{sub}5S{sub}8)-(In{sub}2S{sub}3)擬固溶体系に，低CS{sub}2ガス分圧では(Cu{sub}2S,Cu{sub}1.96S)-(CuInS{sub}2)-(InS,In{sub}5S{sub}4)擬固溶体系に対応して変化した．CuInS{sub}2の化学量論組成に対応した薄膜はp形で，CuInS{sub}2以外のX線回折ピークは観測されず，その基礎吸収端はCuInS{sub}2の禁制帯幅に対応していた．