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一种提高离子束反应溅射法制备碳化锗薄膜牢固度的方法

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本发明公开了一种提高离子束反应溅射法制备碳化锗薄膜牢固度的方法，其包括以下步骤：S1：基片清洗；S2：预溅射，将清洗后的基片放入离子束溅射镀膜机内，以Ge作为靶材，CH

著录项

公开/公告号CN106498351A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-15

原文格式PDF
申请/专利权人天津津航技术物理研究所;
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申请/专利号CN201610959060.5
发明设计人孙鹏;张锋;季一勤;刘华松;冷健;尚鹏;杨霄;杨明;
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申请日2016-11-03
分类号C23C14/34;C23C14/06;
代理机构中国兵器工业集团公司专利中心;
代理人刘东升
地址 300308 天津市东丽区空港经济开发区中环西路58号
入库时间 2023-06-19 01:44:06

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-05

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/34 申请公布日:20170315 申请日:20161103

发明专利申请公布后的视为撤回
2017-04-12

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20161103

实质审查的生效
2017-03-15

公开

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