東工大と理研、岡山大、新材料二硫化ハフニウム（HfS2）を用いたトランジスターを開発、グラフエン超えへ

摘要

東京工業大学の宮本恭幸教授と理化学研究所、岡山大学からなる共同研究グループは、新しい二次元材料である二硫化ハフニウム（HfS2）を用いたMOSトランジスターを開発した。電流電圧測定でオン／オフ比104のトランジスター動作と、電気二重層ゲート構造を用いた高い電流密度を確認した.低消費電力と高速動作を両立させる新材料として期待できるとしている。研究グループは新たな二次元材料であるHfS2の電子デバイス応用に適した物性予測に着目し、MOSトランジスターでの動作を初めて実証した。