高感度センサ用大面積AlInAs-APDアレー

摘要

三菱電機では，InGaAsを光吸収層に用いた1.5μm帯光通信用APDを開発しており，受光径￠40～50μm，受光感度≧0.9A/W，量子効率80%以上のAPDを報告している。これまで報告したAPDは受光領域が数十μmの大きさであったが，この報告で述べるAPDアレー素子は，複数のAPDを集積して一次元アレー構造とし，レーザセンサ向けに受光領域の大面積化（2×2（mm））を図った。受光領域を複数の素子に分割することによって，1つ1つの素子容量を小さくし，帯域の確保と同時に受光領域の大面積化を図っている。光吸収層と増倍層が分離されたSAM（Separated Absorption and Multiplication layers）型構造を適用し，ガードリングなどを設けることなくエッジブレークダウンを抑制可能な当社独自の構造を採用することによって，大面積で均一な受光感度が得られた。