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机译:使用双栅极电介质的高功率应用的基于凹栅GaN的MOSFET设计
Gallium nitride; Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor; Normally-off; Recessed-gate; High-k dielectric;
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机译:使用InAlP氧化物作为RF应用的栅极介电质的准非晶In0.22Ga0.78As沟道MOSFET。
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