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机译:通过使用金属有机化学气相沉积法在具有AlN成核层的c面蓝宝石衬底上生长InGaN膜
Crystal quality; Metal-organic chemical-vapor deposition; Raman frequency shift; Strain;
机译:通过使用金属有机化学气相沉积法在具有AlN成核层的c面蓝宝石衬底上生长InGaN膜
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的(111)Si上的GaN膜中的生长应力和裂纹。 Ⅰ。 AIN缓冲层
机译:金属气相化学沉积法通过高温AlN成核层生长在R平面蓝宝石上的非极性A平面甘薄膜的结构和光学表征
机译:使用脉冲压力金属有机化学气相沉积法形成和生长薄膜氧化锆。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:具有纳米级厚的Aln成核层对基于Algan的深紫外发光二极管的纳米级厚的Aln成核膜的高质量和无裂缝Aln膜的异质生长