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机译:本征周围栅MOSFET的连续表面电势与电压方程以及从累积到强反转区域的解析解〜*
non-classical CMOS; surrounding-gate MOSFETs; device physics; surface potential; accuracy; continuity issue;
机译:本征周围栅MOSFET的连续表面电势与电压方程以及从累积到强反转区域的解析解〜*
机译:体掺杂对从累积到强反转区域连续求解的对称DG MOSFET阈值电压和沟道电势的影响
机译:掺杂对称双栅MOSFET从累积到强反转区域的连续分析沟道电势解决方案
机译:对于未掺杂对称双栅极MOSFET的累积与强反转区域的表面电位与电压方程
机译:用于光声痕量气体传感器建模的耦合方程组的解析解和微震源估计的全波形反演方法
机译:低盐浓度时圆柱非线性Poisson-Boltzmann方程的渐近解:表面势和优先相互作用系数的解析表达式
机译:使用3D泊松方程的解析解的全耗尽窄通道SOI MOSFET的表面电势和阈值电压模型
机译:水,冰和水溶液的介电弛豫谱及其解释。八。通过'纯'冰I(H)单晶转移质子。 I.冰I(H)的偏振光谱。二。极化和传导的分子模型。三。外在与内在极化;表面与体积传导