Index terms- Surface potential; DG-MOSFETs; device physics; compact modeling; ULSI circuit simulation;
机译:固有的纳米级环绕栅MOSFET的解析但连续的表面电势与电压方程式以及从累积到强反转区域的解决方案
机译:本征周围栅MOSFET的连续表面电势与电压方程以及从累积到强反转区域的解析解〜*
机译:掺杂对称双栅MOSFET从累积到强反转区域的连续分析沟道电势解决方案
机译:对于未掺杂对称双栅极MOSFET的累积与强反转区域的表面电位与电压方程
机译:用于低压集成电路应用的双栅CMOS设计和分析,包括绝缘体上硅MOSFET的物理建模。
机译:非Hermitian PT对称势中具有三阶色散的非线性Schrödinger方程的孤子动力学和激发
机译:基于非电荷片的非对称双栅mOsFET采用spp方法的分析模型
机译:强反型mOsFET的简单分析模型