具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET

摘要

提供了一种用于形成功率半导体器件的方法，本方法首先提供第一(2)或第二导电(1)类型的衬底，之后在衬底(1)上形成电压维持区域。通过在衬底(1)上淀积第一导电类型的外延层并且在外延层中形成至少一个沟槽(520)来形成电压维持区域。在沟槽(520)中淀积具有第二导电类型的第二掺杂剂的第一多晶硅层(512)。扩散第二掺杂剂来形成相邻于沟槽(520)的掺杂的外延区域，并处在外延层中。接下来在沟槽(520)中淀积具有第一导电类型的第一掺杂剂的第二多晶硅层(512)。分别位于第二和第一多晶硅层(512)中的第一和第二掺杂剂彼此相互扩散来实现第一和第二多晶硅层(512)中的电气补偿。最后，在电压维持区域上形成至少一个第二导电类型的区域来在它们之间限定结部。