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机译:电阻图案中的线边缘粗糙度及其作为器件性能下降和变化的根源的可转移性分析
line-edge roughness; dry etching; CD-SEM; measurement parameter; device performance;
机译:电阻图案中的线边缘粗糙度及其作为器件性能下降和变化的根源的可转移性分析
机译:抗蚀剂侧壁形态对蚀刻过程中线边缘粗糙度降低和转移的影响:显影后的抗蚀剂侧壁是各向同性还是各向异性的?
机译:抗蚀剂侧壁形态对蚀刻过程中线边缘粗糙度降低和转移的影响:显影后的抗蚀剂侧壁是各向同性还是各向异性的?
机译:电阻图案中线边缘粗糙度的表征及其对器件性能的影响的估计
机译:下一代光刻的线边缘粗糙度研究:碳纳米管在数百纳米图案测量中的应用。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:工作函数变化和线边缘粗糙度对TFET和FinFET器件以及32位CLa电路的影响