机译:使用EUV光刻技术的hp 2x-nm设备的抗蚀剂材料和工艺的进展
EUV lithography; pattern collapse; TBAH; underlayer; rinse solution; resist thickness; developer concentration;
机译:使用EUV光刻技术的hp 2x-nm设备的抗蚀剂材料和工艺的进展
机译:使用DDR工艺制造高纵横比透射光栅,以通过EUV干涉光刻技术评估10 nm EUV抗蚀剂
机译:使用DDR工艺制造高纵横比传动光栅10nm EUV抗蚀剂评估通过EUV干扰光刻
机译:使用EUV光刻技术开发hp-2x-nm器件的抗蚀剂材料和工艺
机译:预测由于光学和EUV光刻制造工艺的相互作用而导致的器件晶圆上的覆盖错误
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:EUV抗蚀剂和IC制造过程开发的现状,实现EUV光刻到2x DRAM及更远