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High density and patternable growth of silicon, germanium and alloyed SiGe nanowires by a rapid anneal protocol (vol 3, pg 7455, 2015)

机译：通过快速退火协议实现硅，锗和合金化的SiGe纳米线的高密度和可图案生长（vol 3，pg 7455，2015）

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《Journal of Materials Chemistry, C. materials for optical and electronic devices》 |2015年第32期|共1页
作者
Bezuidenhout M.; Kennedy T.; Belochapkine S.; Guo Y.; Mullane E.; Kiely P. A.; Ryan K. M.;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类物理化学（理论化学）、化学物理学;
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1. High density and patternable growth of silicon, germanium and alloyed SiGe nanowires by a rapid anneal protocol (vol 3, pg 7455, 2015) [J] . Bezuidenhout M., Kennedy T., Belochapkine S., Journal of Materials Chemistry, C. materials for optical and electronic devices . 2015,第32期

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