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机译:p型GaN上的纳米级Pt / Ag / Ni / Au触点可实现低接触电阻和高反射率
Vertical LED; Contact Resistance Reflectivity; Nano-Scaled Pt;
机译:p型GaN上的纳米级Pt / Ag / Ni / Au触点可实现低接触电阻和高反射率
机译:p型GaN上的低电阻和高反射率Ni / Ag / Ru / Ni / Au欧姆接触
机译:低电阻Pt / Ag / Au欧姆接触p型GaN的电和结构特性
机译:高反光的低电阻Pt / Ag / Ni / Au基于P-GaN的欧姆触点
机译:低电阻触点与用于纳米级MOS器件的激光退火结。
机译:具有低电阻金欧姆接触的多层SnSe纳米片状场效应晶体管
机译:p型GaN上Ni / Au和Au触点的电学性质
机译:用Zn / pd / au金属化制备p型Gaas的低阻欧姆接触