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SEM and EPMA studies of oval defects on MBE GaAs layers

机译：SEM和EPMA研究MBE GaAs层上的椭圆形缺陷

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来源
《Journal of Materials Science Letters》 |1998年第7期|共3页
作者
Kadhim NJ.; Mukherjee D.;
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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工程材料学;
关键词
Molecular-beam epitaxy; Growth; Films; Origin; Photoluminescence; Elimination;

机译：分子束外延;生长;薄膜;起源;光致发光;消除;

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1. SEM and EPMA studies of oval defects on MBE GaAs layers [J] . Kadhim NJ., Mukherjee D. Journal of Materials Science Letters . 1998,第7期

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