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机译:镉组成对基于H_(1-x)Cd_(x)Te的CH_(4)-H_(2)基电感耦合等离子体刻蚀的影响
Inductively coupled plasma (ICP) etching; HgCdTe; CH_(4)-based plasma; x-ray photoelectron spectroscopy (XPS);
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机译:工艺压力和气体成分对Cl_2 / BCl_3基电感耦合等离子体中GaAs刻蚀特性影响的实验研究
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机译:CH_4 / H_2 / N_2 / Ar混合液电感耦合等离子体处理Hg_(1-x)Cd_xTe表面的研究
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
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机译:基于ICl和IBr的化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分。 Inp,Insb,InGap和InGaas;等离子体化学和等离子体处理