...
首页> 外文期刊>Journal of Electronic Materials >The Exciton Tunneling in ZnCdSe/ZnSe Asymmetric Double Quantum Well
【24h】

The Exciton Tunneling in ZnCdSe/ZnSe Asymmetric Double Quantum Well

机译:ZnCdSe / ZnSe不对称双量子阱中的激子隧穿

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

Photoluminescence spectra of asymmetric double-quantum-well structure are studied in this paper. We show the excitation power dependence of exciton tunneling. Due to the different tunneling time of electrons and holes, space-charge effect is observed.
机译:研究了非对称双量子阱结构的光致发光光谱。我们显示了激子隧穿的激发功率依赖性。由于电子和空穴的隧穿时间不同,因此观察到了空间电荷效应。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号