机译:InGaN / GaN发光二极管与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管单片集成的通用缓冲平台的优化
Metalorganic chemical vapor deposition; light-emitting diodes; high-electron-mobility transistors; HEMT-LED integration;
机译:InGaN / GaN发光二极管与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管单片集成的通用缓冲平台的优化
机译:蓝宝石衬底上GaN中的发光功率集成电路的发光二极管和功率金属氧化物半导体沟道高电子迁移率晶体管的单片集成
机译:InGaN / GaN发光二极管与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的无金属互连集成
机译:Si上初始AlN成核层顶部的AlGaN缓冲层的Al含量与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直泄漏电流之间的关系
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:具有优化的GaN势垒的InGaN / GaN多层量子点黄绿色发光二极管
机译:具有AlGaN / GaN / AlGaN量子阱结构的电子阻挡层的蓝色InGaN / GaN发光二极管的优势