机译:量子力学对纳米级双通道应变Si /应变Si_(1-y)Ge_y /松弛Si _(1-x)Ge_x MOSFET阈值电压的影响
Compressive Strained Si_(1-y)Ge_y; Dual Channel; Flatband Voltage; Oxide Thickness; pMOSFETs; Quantum Mechanical Effects; Threshold Voltage;
机译:量子力学对纳米级双通道应变Si /应变Si_(1-y)Ge_y /松弛Si _(1-x)Ge_x MOSFET阈值电压的影响
机译:在松弛的Si_(1-x)ge_x虚拟衬底上使用通过氧化形成的富含Ge的层在应变Si / si_(1-y)ge_y双通道上进行新制备
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si_(1-x)Ge_x MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:松弛SI_(1-X)GE_X双通道增强运动结构上受约束的SI /约束SI_(1-Y)GE_Y中带隙的提取
机译:硅锗本体合金和应变硅(1-x)锗(x)/硅(1-y)锗(y)异质结构中的电子g因子工程
机译:有序SiGe点上的应变MOSFET
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si1-xGex MOSFET的二维分析阈值电压模型