机译:斜桥外延生长氮化镓薄膜中位错减少的机理
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; LATERAL OVERGROWTH; GAN FILMS; DEFECT STRUCTURE; PHASE EPITAXY; V/III RATIO; DENSITY GAN; SAPPHIRE; SUBSTRATE; FABRICATION;
机译:斜桥外延生长氮化镓薄膜中位错减少的机理
机译:具有位错减少机理的氢化物气相外延生长氮化镓晶体
机译:使用氮化scan中间层减少氮化镓膜中的位错
机译:氢化物气相外延生长的平面GaN薄膜脱位和堆垛机构的机制
机译:利用分子束外延研究低位错密度氮化镓薄膜的离子束辅助沉积。
机译:卤化物气相外延在锥形截肢型蓝宝石衬底上生长的α-GA2O3癫痫脱位的减少
机译:使用新型种子层和可控成核作用,减少金属有机气相外延生长的氮化镓中的位错
机译:用磷酸和熔融氢氧化钾分子束外延生长氮化镓中位错蚀刻坑的观察与研究