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【2h】

Reduction of Dislocations in Gallium Nitride Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy using novel Seed layers and Controlled Nucleation

机译：使用新型种子层和可控成核作用，减少金属有机气相外延生长的氮化镓中的位错

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学位の種別: 課程博士

机译：学位类型：课程博士

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作者
王宏波;
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年度 2014
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2. Kinetics of low-temperature activation of acceptors in magnesium-doped gallium nitride epilayers grown by metal-organic vapor-phase epitaxy [J] . E. Litwin-Staszewska, R. Piotrzkowski, L. Dmowski, Journal of Applied Physics . 2006,第3期

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3. Gallium Nitride Crystals Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy with Dislocation Reduction Mechanism [J] . Akira Usui ECS Journal of Solid State Science and Technology . 2013,第8期

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4. Acoustical and Optical Gallium Nitride Waveguides Grown on Si(111) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy [C] . H. P. D. SCHENK, E. FELTIN, M. VAILLE, Fourth International Conference on Nitride Semiconductors . 2002

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