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机译:通过谐振隧穿二极管和高电子迁移率晶体管的单片集成的双稳态自闭锁逆变器
resonant tunnelling diode (RTD); high electron mobility transistor (HEMT); molecular beam epitaxy (MBE); bistability; self-latching;
机译:通过谐振隧穿二极管和高电子迁移率晶体管的单片集成的双稳态自闭锁逆变器
机译:通过谐振隧穿二极管和高电子迁移率晶体管的单片集成的双稳态自闭锁逆变器
机译:通过谐振隧穿二极管和高电子迁移率晶体管的单片集成的双稳态自闭锁逆变器
机译:光电逻辑门单片集成谐振隧穿二极管和单行进载流光电二极管
机译:在变质砷化镓衬底上,长波长光电探测器和高电子迁移率晶体管的单片集成。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:谐振隧穿二极管中从直接双稳态电致发光到反向双稳态电致发光的温度调节
机译:Inas / Gasb / alsb材料系统中谐振带间隧穿二极管和高电子迁移率晶体管的单片集成;杂志文章