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Electron Devices Society, IEE
>2016年第6期
Electron Devices Society, IEE
中文名称:电子设备学会
ISSN:
2168-6734
出版周期:
发文量:281
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1.
On the Small-Signal Capacitance of RF MEMS Switches at Very Low Frequencies
机译:
在非常低的频率下RF MEMS开关的小信号电容
作者:
Jiahui Wang
;
Jeroen Bielen
;
Cora Salm
;
Gijs Krijnen
;
Jurriaan Schmitz
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Capacitance-voltage characteristics;
Capacitance;
Radio frequency;
Frequency measurement;
Microelectromechanical systems;
Capacitance measurement;
Microswitches;
2.
Magnetically Tuned Varistor and Its Embedded Transistors
机译:
磁调谐压敏电阻及其嵌入式晶体管
作者:
Raghvendra K. Pandey
;
William A. Stapleton
;
Rainer Schad
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Saturation magnetization;
Magnetic devices;
Magnetic semiconductors;
HEMTs;
Varistors;
Field effect transistors;
3.
Analysis of Temperature Dependent Effects on I–V Characteristics of Heterostructure Tunnel Field Effect Transistors
机译:
温度对异质结构隧道场效应晶体管IV特性的影响分析
作者:
Jie Min
;
Lingquan Dennis Wang
;
Jianzhi Wu
;
Peter M. Asbeck
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Temperature dependence;
Tunneling;
TFETs;
Potential well;
Threshold voltage;
Photonic band gap;
4.
Modeling of Charge and Quantum Capacitance in Low Effective Mass III-V FinFETs
机译:
低有效质量III-V FinFET中的电荷和量子电容建模
作者:
Mohit D. Ganeriwala
;
Chandan Yadav
;
Nihar R. Mohapatra
;
Sourabh Khandelwal
;
Chenming Hu
;
Yogesh Singh Chauhan
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Quantum capacitance;
SPICE;
Numerical models;
Computational modeling;
Semiconductor device modeling;
III-V semiconductor materials;
FinFETs;
5.
Energy-Saving Write/Read Operation of Memory Cell by Using Separated Storage Device and Remote Reading With an MIS Tunnel Diode Sensor
机译:
通过使用独立的存储设备进行存储单元的节能写/读操作,并使用MIS隧道二极管传感器进行远程读取
作者:
Chien-Shun Liao
;
Wei-Chih Kao
;
Jenn-Gwo Hwu
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Current measurement;
Current-voltage characteristics;
MIS devices;
Voltage measurement;
Electron devices;
6.
The Film Thickness Effect on Electrical Conduction Mechanisms and Characteristics of the Ni–Cr Thin Film Resistor
机译:
膜厚对Ni-Cr薄膜电阻的导电机理和特性的影响
作者:
Nai-Chuan Chuang
;
Jyi-Tsong Lin
;
Ting-Chang Chang
;
Tsung-Ming Tsai
;
Kuan-Chang Chang
;
Chih-Wei Wu
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Thin films;
Annealing;
Scattering;
Resistors;
Conductivity;
Sputtering;
Nickel alloys;
7.
P-Type Tunnel FETs With Triple Heterojunctions
机译:
具有三异质结的P型隧道FET
作者:
Jun Z. Huang
;
Pengyu Long
;
Michael Povolotskyi
;
Gerhard Klimeck
;
Mark J. W. Rodwell
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
TFETs;
Effective mass;
Scattering;
Heterojunctions;
Tunneling;
Doping;
8.
New Super-Junction LDMOS Based on Poly-Si Thin-Film Transistors
机译:
基于多晶硅薄膜晶体管的新型超结LDMOS
作者:
Jhen-Yu Tsai
;
Hsin-Hui Hu
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
MOSFET;
Junctions;
Thin film transistors;
Silicon-on-insulator;
9.
New 2-D/3-D Switchable Pixel Circuit to Achieve Uniform OLED Luminance for High-Speed AMOLED Displays
机译:
新型2D / 3D可切换像素电路可实现高速AMOLED显示器的均匀OLED亮度
作者:
Chih-Lung Lin
;
Po-Chun Lai
;
Po-Cheng Lai
;
Po-Syun Chen
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Thin film transistors;
Threshold voltage;
Degradation;
Active matrix organic light emitting diodes;
10.
Performance Investigation of Single Grain Boundary Junctionless Field Effect Transistor
机译:
单晶无边界结型场效应晶体管的性能研究
作者:
Mamidala Saketh Ram
;
Dawit Burusie Abdi
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Grain boundaries;
Thin film transistors;
Silicon;
Performance evaluation;
Electron traps;
Field effect transistors;
11.
Lithium-Intercalated Graphene Interconnects: Prospects for On-Chip Applications
机译:
锂嵌入石墨烯互连:片上应用的前景
作者:
Atul Kumar Nishad
;
Rohit Sharma
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Integrated circuit interconnections;
Delays;
Resistance;
Capacitance;
Graphene;
Lithium;
Copper;
12.
Characterization of RF Noise in UTBB FD-SOI MOSFET
机译:
UTBB FD-SOI MOSFET中RF噪声的表征
作者:
Pragya Kushwaha
;
Avirup Dasgupta
;
Yogendra Sahu
;
Sourabh Khandelwal
;
Chenming Hu
;
Yogesh Singh Chauhan
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Noise measurement;
Thermal noise;
Semiconductor device modeling;
Silicon-on-insulator;
MOSFET;
13.
The Dual Effects of Gate Dielectric Constant in Tunnel FETs
机译:
隧道FET中栅极介电常数的双重效应
作者:
Hao Wang
;
Sheng Chang
;
Jin He
;
Qijun Huang
;
Feng Liu
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
TFETs;
Numerical simulation;
Junctions;
Dielectric constant;
Tunneling;
Dielectrics;
14.
Model of Organic Solar Cell Photocurrent Including the Effect of Charge Accumulation at Interfaces and Non-Uniform Carrier Generation
机译:
包含界面电荷积累和不均匀载流子效应的有机太阳能电池光电流模型
作者:
Lorenzo Torto
;
Andrea Cester
;
Antonio Rizzo
;
Nicola Wrachien
;
Suren A. Gevorgyan
;
Michael Corazza
;
Frederik C. Krebs
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Electric fields;
Analytical models;
Photovoltaic cells;
Photoconductivity;
Organic materials;
15.
Water-Soluble Glass Substrate as a Platform for Biodegradable Solid-State Devices
机译:
水溶性玻璃基板作为可生物降解固态设备的平台
作者:
Shihab Adnan
;
Kwang-Man Lee
;
Mohammad Tayeb Ghasr
;
Matthew J. O’Keefe
;
Delbert E. Day
;
Chang-Soo Kim
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Glass;
Substrates;
Biodegradation;
Thin film devices;
Biodegradable materials;
Resonance;
Impedance;
16.
Ultra-High Mobility in Dielectrically Pinned CVD Graphene
机译:
介电固定CVD石墨烯的超高迁移率
作者:
Ramy Nashed
;
Chenyun Pan
;
Kevin Brenner
;
Azad Naeemi
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Graphene devices;
Dielectrics;
Fabrication;
Chemical vapor deposition;
Charge carrier processes;
Electron mobility;
17.
Study of the Effect of Surface Roughness on the Performance of RF MEMS Capacitive Switches Through 3-D Geometric Modeling
机译:
通过3D几何建模研究表面粗糙度对RF MEMS电容开关性能的影响
作者:
Sarath Gopalakrishnan
;
Amitava Dasgupta
;
Deleep R. Nair
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Surface roughness;
Capacitance;
Radio frequency;
Dielectrics;
Microelectromechanical systems;
18.
Photovoltaic Performance Analysis of Dye-Sensitized Solar Cell With ZnO Compact Layer and TiO2/Graphene Oxide Composite Photoanode
机译:
具有ZnO致密层和TiO2 /氧化石墨烯复合光电阳极的染料敏化太阳能电池的光伏性能分析
作者:
Jung-Chuan Chou
;
Yu-Jen Lin
;
Yi-Hung Liao
;
Chih-Hsien Lai
;
Chia-Ming Chu
;
Pei-Hong You
;
Yu-Hsun Nien
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第6期
关键词:
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Photovoltaic systems;
Thin films;
Titanium compounds;
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