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Electron Devices Society, IEE
>2016年第5期
Electron Devices Society, IEE
中文名称:电子设备学会
ISSN:
2168-6734
出版周期:
发文量:281
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1.
Experimental Study on Deformation Potential ( Dac ) in MOSFETs: Demonstration of Increased Dac at MOS Interfaces and Its Impact on Electron Mobility
机译:
MOSFET变形电势(Dac)的实验研究:MOS接口上Dac的增加及其对电子迁移率的影响
作者:
Teruyuki Ohashi
;
Takahisa Tanaka
;
Tsunaki Takahashi
;
Shunri Oda
;
Ken Uchida
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
MOSFET;
Temperature measurement;
Silicon;
Electric potential;
Oscillators;
Scattering;
Phonons;
2.
Overview of Selector Devices for 3-D Stackable Cross Point RRAM Arrays
机译:
3-D可堆叠交叉点RRAM阵列选择器设备概述
作者:
Rakesh Aluguri
;
Tseung-Yuen Tseng
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Three-dimensional displays;
Electrodes;
Switches;
Memory management;
Leakage currents;
Resistance;
3.
Bilayer Metal-Oxide Conductive Bridge Memory Technology for Improved Window Margin and Reliability
机译:
双层金属氧化物导电桥存储技术可改善窗口裕量和可靠性
作者:
Marinela Barci
;
Gabriel Molas
;
Carlo Cagli
;
Elisa Vianello
;
Mathieu Bernard
;
Anne Roule
;
Alain Toffoli
;
Jacques Cluzel
;
Barbara De Salvo
;
Luca Perniola
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
thermal stability;
alumina;
bridge circuits;
circuit stability;
gadolinium compounds;
integrated circuit reliability;
random-access storage;
4.
Design Consideration of Diode-Type NAND Flash Memory Cell String Having Super-Steep Switching Slope
机译:
具有超陡开关斜率的二极管型NAND闪存单元串的设计考虑
作者:
Nag Yong Choi
;
Sung-Min Joe
;
Byung-Gook Park
;
Jong-Ho Lee
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Field effect transistors;
Flash memories;
Logic gates;
Performance evaluation;
Silicon;
Doping;
Mathematical model;
5.
A Review of Sharp-Switching Devices for Ultra-Low Power Applications
机译:
面向超低功耗应用的尖锐开关器件综述
作者:
Sorin Cristoloveanu
;
Jing Wan
;
Alexander Zaslavsky
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
TFETs;
Tunneling;
MOSFET;
Logic gates;
Photonic band gap;
Switches;
6.
The Energy and Variability Efficient Era (E.V.E.) is Ahead of Us
机译:
能源和可变性高效时代(E.V.E.)遥遥领先
作者:
Simon Deleonibus
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Logic gates;
CMOS integrated circuits;
Power demand;
Energy efficiency;
Silicon-on-insulator;
Performance evaluation;
Electrostatics;
7.
Direct Evaluation of Self-Heating Effects in Bulk and Ultra-Thin BOX SOI MOSFETs Using Four-Terminal Gate Resistance Technique
机译:
使用四端子栅极电阻技术直接评估块状和超薄BOX SOI MOSFET中的自热效应
作者:
Tsunaki Takahashi
;
Takeo Matsuki
;
Takahiro Shinada
;
Yasuo Inoue
;
Ken Uchida
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Temperature measurement;
Resistance;
Silicon-on-insulator;
Semiconductor device measurement;
Current measurement;
8.
High-Performance InAs Gate-All-Around Nanowire MOSFETs on 300 mm Si Substrates
机译:
在300 mm Si衬底上的高性能InAs全方位栅纳米线MOSFET
作者:
Gerben Doornbos
;
Martin Holland
;
Georgios Vellianitis
;
Mark J. H. Van Dal
;
Blandine Duriez
;
Richard Oxland
;
Aryan Afzalian
;
Ta-Kun Chen
;
Gordon Hsieh
;
Matthias Passlack
;
Yee-Chia Yeo
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Silicon;
Substrates;
III-V semiconductor materials;
Metals;
Indium phosphide;
9.
Toward Low-Power Flash Memory: Prospect of Adopting Crystalline Oxide as Charge Trapping Layer
机译:
面向低功耗闪存:采用晶体氧化物作为电荷陷阱层的前景
作者:
Kuen-Yi Chen
;
Shih-Chieh Teng
;
Hui-Hsin Chang
;
Yung-Hsien Wu
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Dielectrics;
Flash memories;
High K dielectric materials;
Power demand;
Electron devices;
Charge carrier processes;
Performance evaluation;
10.
Bipolar Resistive Switching Behavior in Sol-Gel MgTiNiOx Memory Device
机译:
Sol-Gel MgTiNiOx存储设备中的双极电阻切换行为
作者:
Yu-Chi Chang
;
Ke-Jing Lee
;
Cheng-Jung Lee
;
Li-Wen Wang
;
Yeong-Her Wang
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Nickel;
Switches;
Magnesium;
Surface morphology;
Surface topography;
Titanium compounds;
Nonvolatile memory;
11.
Implementation of TFET SPICE Model for Ultra-Low Power Circuit Analysis
机译:
TFET SPICE模型用于超低功耗电路分析的实现
作者:
Chika Tanaka
;
Kanna Adachi
;
Motohiko Fujimatsu
;
Akira Hokazono
;
Yoshiyuki Kondo
;
Shigeru Kawanaka
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
TFETs;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
Tunneling;
Logic gates;
MOSFET;
Leakage currents;
12.
Design and Application of Oxide-Based Resistive Switching Devices for Novel Computing Architectures
机译:
用于新型计算架构的基于氧化物的电阻开关设备的设计和应用
作者:
Jinfeng Kang
;
Peng Huang
;
Bin Gao
;
Haitong Li
;
Zhe Chen
;
Yudi Zhao
;
Chen Liu
;
Lifeng Liu
;
Xiaoyan Liu
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Switches;
Hafnium compounds;
Resistance;
Voltage measurement;
Computer architecture;
Ions;
Optimization;
13.
Abnormal Threshold Voltage Shift of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Due to Mobile Sodium
机译:
钠引起的非晶态InGaZnO薄膜晶体管异常阈值电压漂移
作者:
Chieh Lo
;
Zheng-Lun Feng
;
Wei-Lun Huang
;
Chee Wee Liu
;
Tsang-Long Chen
;
Cheng-Hsu Chou
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Logic gates;
Handheld computers;
Electrodes;
NIST;
Thin film transistors;
Insulators;
Annealing;
14.
High Performance Metal-Gate/High- κ GaN MOSFET With Good Reliability for Both Logic and Power Applications
机译:
高性能金属栅极/高κGaN MOSFET,在逻辑和电源应用中均具有良好的可靠性
作者:
Shih-Han Yi
;
Dun-Bao Ruan
;
Shaoyan Di
;
Xiaoyan Liu
;
Yung Hsien Wu
;
Albert Chin
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Gallium nitride;
MOSFET;
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
Silicon;
15.
Mobility and Stability Enhancement of Amorphous In-Ga-Zn-O TFTs With Atomic Layer Deposited Al2O3/SiO2 Stacked Insulators
机译:
沉积有原子层的Al2O3 / SiO2叠层绝缘子的非晶In-Ga-Zn-O TFT的迁移率和稳定性增强
作者:
Li-Li Zheng
;
Shi-Bing Qian
;
You-Hang Wang
;
Wen-Jun Liu
;
Shi-Jin Ding
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Aluminum oxide;
Logic gates;
Thin film transistors;
Insulators;
Stress;
Dielectrics;
Thermal stability;
16.
Investigation of Post Oxidation Annealing Effect on H2O2-Grown-Al2O3/AlGaN/GaN MOSHEMTs
机译:
H2O2-生长-Al2O3 / AlGaN / GaN MOSHEMT的后氧化退火效应研究
作者:
Han-Yin Liu
;
Wen-Chia Ou
;
Wei-Chou Hsu
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Annealing;
Logic gates;
Aluminum oxide;
Oxidation;
Current density;
Hysteresis;
HEMTs;
17.
Series Resistance Reduction in Stacked Nanowire FETs for 7-nm CMOS Technology
机译:
用于7nm CMOS技术的堆叠纳米线FET中的串联电阻减小
作者:
Anil Kumar Bansal
;
Ishita Jain
;
Terence B. Hook
;
Abhisek Dixit
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Resistance;
Logic gates;
Nanoscale devices;
FinFETs;
Solids;
CMOS integrated circuits;
Threshold voltage;
18.
Nanometer-Scale III-V MOSFETs
机译:
纳米级III-V MOSFET
作者:
Jesús A. Del Alamo
;
Dimitri A. Antoniadis
;
Jianqiang Lin
;
Wenjie Lu
;
Alon Vardi
;
Xin Zhao
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
MOSFET;
Indium gallium arsenide;
Logic gates;
Conductivity;
Silicon;
Nanoscale devices;
19.
A Perspective on SOI Symmetric Lateral Bipolar Transistors for Ultra-Low-Power Systems
机译:
超低功耗系统的SOI对称横向双极晶体管透视图
作者:
Tak H. Ning
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Transistors;
CMOS integrated circuits;
Capacitance;
Current measurement;
Niobium;
Logic gates;
20.
Design Rules for High Performance Tunnel Transistors From 2-D Materials
机译:
二维材料的高性能隧道晶体管的设计规则
作者:
Hesameddin Ilatikhameneh
;
Gerhard Klimeck
;
Joerg Appenzeller
;
Rajib Rahman
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
TFETs;
Logic gates;
Strain;
Doping;
Performance evaluation;
Photonic band gap;
Junctions;
21.
Ge GAA FETs and TMD FinFETs for the Applications Beyond Si—A Review
机译:
Si以外的应用的Ge GAA FET和TMD FinFETs评述
作者:
Yao-Jen Lee
;
Guang-Li Luo
;
Fu-Ju Hou
;
Min-Cheng Chen
;
Chih-Chao Yang
;
Chang-Hong Shen
;
Wen-Fa Wu
;
Jia-Min Shieh
;
Wen-Kuan Yeh
期刊名称:
《Electron Devices Society, IEE》
|
2016年第5期
关键词:
Logic gates;
Etching;
Gallium arsenide;
FinFETs;
Silicon;
Epitaxial growth;
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