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Electron Devices Society, IEE

中文名称：电子设备学会

ISSN：2168-6734
出版周期：

发文量：281

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共42条结果

1.Random Telegraph Noises in CMOS Image Sensors Caused by Variable Gate-Induced Sense Node Leakage Due to X-Ray Irradiation

机译：X射线辐照引起的可变门感测节点泄漏导致CMOS图像传感器中的随机电报噪声
- 作者：Chao Calvin Yi-Ping;Wu Thomas M-H;Yeh Shang-Fu;Chou Kuo-Yu;Tu Honyih;Lee Chih-Lin;Yin Chin;Paillet Philippe;Goiffon Vincent
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
2.A Hybrid Phototransistor Neuromorphic Synapse

机译：混合光电晶体管神经形态突触
- 作者：Liu Yu;Huang Wen;Wang Xiawa;Liang Renrong;Wang Jing;Yu Bin;Ren Tian-Ling;Xu Jun
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Artificial synapse;
- light-stimulated;
- IZO;
- HfO2;
3.Operational Testing of 4H-SiC JFET ICs for 60 Days Directly Exposed to Venus Surface Atmospheric Conditions

机译：直接暴露在金星表面大气条件下的60天4H-SiC JFET IC的运行测试
- 作者：Neudeck Philip G.;Chen Liangyu;Meredith Roger D.;Lukco Dorothy;Spry David J.;Nakley Leah M.;Hunter Gary W.
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Silicon carbide;
- high-temperature techniques;
- JFET integrated circuits;
- space technology;
4.Electrical Stability of Solution-Processed a-IGZO TFTs Exposed to High-Humidity Ambient for Long Periods

机译：长时间暴露于高湿度环境下的固溶处理a-IGZO TFT的电稳定性
- 作者：Lee Seung-Un;Jeong Jaewook
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- a-IGZO;
- thin film transistor;
- humidity;
- stability;
- ambient;
5.The Vacancy Pool Model for Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors

机译：In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的空缺池模型
- 作者：Tai Ya-Hsiang;Liu Han-Wen;Chan Po-Chun
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
6.Investigation of Retention Noise for 3-D TLC NAND Flash Memory

机译：3-D TLC NAND闪存的保留噪声研究
- 作者：Wang Kunliang;Du Gang;Lun Zhiyuan;Liu Xiaoyan
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Retention V-th distribution;
- retention noise;
- 3-D TLC NAND flash memory;
- reliability;
7.TBAL: Tunnel FET-Based Adiabatic Logic for Energy-Efficient, Ultra-Low Voltage IoT Applications

机译：TBAL：基于隧道FET的绝热逻辑，用于节能，超低压物联网应用
- 作者：Liu Jheng-Sin;Clavel Michael B.;Hudait Mantu K.
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Adiabatic logic;
- FinFETs;
- strained Ge/InGaAs heterojunctions;
- tunnel field-effect transistors;
- TBAL;
8.A Study on Selectivity and Temperature Coefficients of the Chloride Ion Sensors With RuO_x Thin Film

机译：RuO _{x 薄膜氯化物离子传感器的选择性和温度系数的研究}
- 作者：Tseng Shi-Chang;Wu Tong-Yu;Chou Jung-Chuan;Liao Yi-Hung;Lai Chih-Hsien;Chen Jian-Syun;Huang Min-Siang;Yan Siao-Jie;Lin Si-Hong
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Response time;
- chloride selectivity;
- temperature effect;
- ruthenium oxide and chloride ion sensor;
9.A Reliable Technology for Advanced SiC-MOS Devices Based on Fabrication of High Quality Silicon Oxide Layers by Converting a-Si

机译：基于通过转换a-Si制备高质量氧化硅层的先进SiC-MOS器件的可靠技术
- 作者：Pascu Razvan;Romanitan Cosmin;Varasteanu Pericle;Kusko Mihaela
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Interface traps;
- MOS;
- near interface oxide traps;
- oxidized amorphous silicon;
- SiC;
10.Editorial Exciting Progress

机译：编辑激动人心的进展
- 作者：Ostling Mikael
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
11.Symmetrical and Crossed Double-Sided Passivation Emitter and Surface Field Solar Cells for Bifacial Applications

机译：双面应用的对称和交叉双面钝化发射极和表面场太阳能电池
- 作者：Lin Jyi-Tsong;Ho Kon-Yu;Haga Steve W.;Chen Wen-Hao
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Bifacial;
- silicon;
- PERC solar cells;
12.A New Low Turn-Off Loss SOI Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor With Buried Variation of Lateral Doping Layer

机译：具有侧向掺杂层埋入变化的新型低截止损耗SOI横向绝缘栅双极晶体管
- 作者：Tian Tao;Zhang Sheng-Li;Guo Yu-Feng;Zhang Jun;Pan David Z.;Yang Ke-Meng
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
13.High Performance Single Crystalline Diamond Normally-Off Field Effect Transistors

机译：高性能单晶金刚石常关场效应晶体管
- 作者：Ren Zeyang;Chen Wanjiao;Zhang Jinfeng;Zhang Jincheng;Zhang Chunfu;Yuan Guansheng;Su Kai;Lin Zhiyu;Hao Yue
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Single crystalline diamond;
- normally-off;
- MOSFET;
14.Comprehensive Analysis and Optimal Design of Ge/GeSn/Ge p-n-p Infrared Heterojunction Phototransistors

机译：Ge / GeSn / Ge p-n-p红外异质结光电晶体管的综合分析和优化设计
- 作者：Pandey Ankit Kumar;Basu Rikmantra;Kumar Harshvardhan;Chang Guo-En
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- GeSn alloys;
- current gain;
- sign-to-noise ratio;
- heterojunction phototransistors;
- infrared;
15.Ferroelectric Field Effect Transistors Based on PZT and IGZO

机译：基于PZT和IGZO的铁电场效应晶体管
- 作者：Besleaga Cristina;Radu Roxana;Balescu Liliana-Marinela;Stancu Viorica;Costas Andreea;Dumitru Viorel;Stan George;Pintilie Lucian
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Ferroelectric transistor;
- PZT;
- IGZO;
16.Self-Organized Ge Nanospherical Gate/SiO₂/Si_0.15Ge_0.85–Nanosheet n-FETs Featuring High ON-OFF Drain Current Ratio

机译：具有高开-关漏极电流比的自组织Ge纳米球栅/SiO₂/Si_0.15Ge_0.85–纳米片n-FET
- 作者：Liao Po-Hsiang;Peng Kang-Ping;Lin Horng-Chih;George Thomas;Li Pei-Wen
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Ge-gate;
- SiGe nanosheet;
- junctionless FET;
- self organization;
17.A New High-Gain Operational Amplifier Using Transconductance-Enhancement Topology Integrated With Metal Oxide TFTs

机译：一种采用跨导增强拓扑结构并与金属氧化物TFT集成的新型高增益运算放大器
- 作者：Chen Zhuo-Jia;Xu Wen-Xing;Wu Jian-Dong;Zhou Lei;Wu Wei-Jing;Zou Jian-Hua;Xu Miao;Wang Lei;Liu Yu-Rong;Peng Jun-Biao
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
18.Counter-Doped Multizone Junction Termination Extension Structures in Vertical GaN Diodes

机译：垂直GaN二极管中的反掺杂多区结终止扩展结构
- 作者：Shurrab Mohammed;Siddiqui Amna;Singh Shakti
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- GaN;
- vertical diodes;
- breakdown voltage;
- junction edge termination (JTE);
- counter-doping;
- partial compensation;
- multi-zone JTEs (MZJTEs);
19.Low-Temperature MoS₂ Film Formation Using Sputtering and H₂S Annealing

机译：溅射和H _{2 S退火的低温MoS _{2 成膜}}
- 作者：Shimizu Junichi;Ohashi Takumi;Matsuura Kentaro;Muneta Iriya;Kakushima Kuniyuki;Tsutsui Kazuo;Ikarashi Nobuyuki;Wakabayashi Hitoshi
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Transition metal di-chalcogenide;
- TMDC;
- molybdenum disulfide (MoS2);
- UHV RF sputtering;
- H2S annealing;
20.Proton Conductor Gated Synaptic Transistor Based on Transparent IGZO for Realizing Electrical and UV Light Stimulus

机译：基于透明IGZO的质子导体门控突触晶体管，用于实现电和紫外光刺激
- 作者：Cheng Weijun;Liang Renrong;Tian He;Sun Chuanchuan;Jiang Chunsheng;Wang Xiawa;Wang Jing;Ren Tian-Ling;Xu Jun
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Synaptic transistor;
- transparent oxide;
- IGZO;
- nanogranular SiO2;
- UV light;
21.Scaling Down Effect on Low Frequency Noise in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors

机译：缩小对多晶硅薄膜晶体管中低频噪声的影响
- 作者：Liu Yuan;Cai Shu-Ting;Han Chao-Yang;Chen Ya-Yi;Wang Li;Xiong Xiao-Ming;Chen Rongsheng
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Polycrystalline silicon;
- thin film transistor;
- low frequency noise;
- channel length;
22.Highly Reliable Contacts to Silicon Enabled by Low Temperature Sputtered Graphenic Carbon

机译：低温溅射的Graphenic碳可实现与硅的高度可靠的接触
- 作者：Stelzer Max;Jung Moritz;Wurstbauer Ursula;Holleitner Alexander;Kreupl Franz
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Carbon;
- contact resistance;
- ESD;
- graphene;
- metal-semiconductor;
- reliability;
- PVD;
- Schottky barrier;
- Schottky diode;
- silicide;
- sputterig;
- TiSi;
23.Extraction of Contact Resistance and DC Modeling in Metal Oxide TFTs

机译：金属氧化物TFT的接触电阻提取和DC建模
- 作者：Li Na;Deng Wanling;Wei Xixiong;Wu Weijing;Huang Junkai
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Metal oxide thin-film transistors;
- contact resistance;
- contact voltage;
- dc model;
- I-V characteristics;
24.Au Nanoparticles-Decorated Surface Plasmon Enhanced ZnO Nanorods Ultraviolet Photodetector on Flexible Transparent Mica Substrate

机译：柔性透明云母基底上的金纳米粒子修饰的表面等离激元增强的ZnO纳米棒紫外光电探测器
- 作者：Zhang Hainan;Zhao Yunfei;Geng Xiangshun;Huang Yao;Li Yuxing;Liu Houfang;Liu Yu;Li Yutao;Wang Xuefeng;Tian He;Liang Renrong;Ren Tian-Ling
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- ZnO nanorods;
- Au nanoparticles;
- ultraviolet photodetector;
- mica substrate;
- flexible bending;
25.SPICE Modeling of Insulator Metal Transition: Model of the Critical Temperature

机译：绝缘子金属转变的SPICE建模：临界温度模型
- 作者：Amer Sherif;Hasan Md Sakib;Adnan Md Musabbir;Rose Garrett S.
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Insulator metal transition;
- IMT;
- compact model;
- SPICE model;
- neuron;
- Mott transition;
26.Different Isolation Processes for Free-Standing GaN p-n Power Diode With Ultra-High Current Injection

机译：采用超高电流注入的自由式GaN p-n功率二极管的不同隔离工艺
- 作者：Yu Chia-Jui;Chang Chun-Kai;Chen Chien-Ju;Liao Jyun-Hao;Wu Meng-Chyi
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- GaN substrate;
- planar diode;
- implantation;
- leakage current;
- breakdown voltage;
- Baliga's figure of merit;
27.A SiC BJT-Based Negative Resistance Oscillator for High-Temperature Applications

机译：用于高温应用的基于SiC BJT的负电阻振荡器
- 作者：Hussain Muhammad Waqar;Elahipanah Hossein;Zumbro John E.;Rodriguez Saul;Malm Bengt Gunnar;Mantooth Homer A.;Rusu Ana
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- 4H-SiC BJT;
- high-temperature;
- LTCC;
- negative resistance;
- oscillator;
28.Impact of Work Function Variation, Line-Edge Roughness, and Ferroelectric Properties Variation on Negative Capacitance FETs

机译：功函数变化，线边缘粗糙度和铁电特性变化对负电容FET的影响
- 作者：Hu Vita Pi-Ho;Chiu Pin-Chieh;Lu Yi-Chun
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Line-edge roughness;
- work function variation;
- negative capacitance FET (NCFET);
- ferroelectric properties;
29.Effects of Interface States on Ge-On-SOI Photodiodes

机译：界面状态对Ge-On-SOI光电二极管的影响
- 作者：Li Chong;Li Ben;Qin Shihong;Su Jiale;He Xiaoying;Guo Xia
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Photodetector;
- germanium;
30.A High-Performance InAs/GaSb Core-Shell Nanowire Line-Tunneling TFET: An Atomistic Mode-Space NEGF Study

机译：高性能InAs / GaSb核壳纳米线线隧穿TFET：原子模式空间NEGF研究
- 作者：Afzalian Aryan;Doornbos Gerben;Shen Tzer-Min;Passlack Matthias;Wu Jeff
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
31.External Resistor-Free Gate Configuration Phase Transition FDSOI MOSFET

机译：外部无电阻栅极配置相变FDSOI MOSFET
- 作者：Shin Jaemin;Shin Changhwan
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Phase transition FET;
- steep switching devices;
- FDSOI;
- threshold selector;
32.A Simple Analytic Modeling Method for SPAD Timing Jitter Prediction

机译：SPAD时序抖动预测的简单解析建模方法
- 作者：Sun Feiyang;Xu Yue;Wu Zhong;Zhang Jun
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Single photon avalanche diodes (SPADs);
- timing jitter;
- analytic model;
- jitter tail;
33.Electrical Properties of Vertical InAs/InGaAs Heterostructure MOSFETs

机译：垂直InAs / InGaAs异质结构MOSFET的电性能
- 作者：Kilpi Olli-Pekka;Svensson Johannes;Lind Erik;Wernersson Lars-Erik
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Vertical;
- nanowire;
- InAs;
- InGaAs;
- MOSFET;
- heterostructure;
34.Accurate Graphene-Metal Junction Characterization

机译：精确的石墨烯-金属结表征
- 作者：Koenig Matthias;Ruhl Guenther;Gahoi Amit;Wittmann Sebastian;Preis Tobias;Batke Joerg-Martin;Costina Ioan;Lemme Max C.
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Graphene;
- electrical contacts;
- TLM;
35.Homo-Junction Bottom-Gate Amorphous In–Ga–Zn–O TFTs With Metal-Induced Source/Drain Regions

机译：具有金属诱导的源/漏区的均质结底栅非晶In-Ga-Zn-O TFT
- 作者：Shao Yang;Zhou Xiaoliang;Yang Huan;Chang Baozhu;Liang Ting;Wang Yi;Zhang Shengdong
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Amorphous indium-gallium-zinc oxide;
- thin-film transistors;
- homo-junction;
- aluminum reaction;
36.Low-Voltage Programmable Gate-All-Around (GAA) Nanosheet TFT Nonvolatile Memory Using Band-to-Band Tunneling Induced Hot Electron (BBHE) Method

机译：使用带间隧穿感应热电子（BBHE）方法的低压可编程全能门（GAA）纳米片TFT非易失性存储器
- 作者：Chen Lun-Chun;Chen Hung-Bin;Chang Yu-Shuo;Lin Shih-Han;Han Ming-Hung;Wu Jia-Jiun;Yeh Mu-Shin;Lin Yu-Ru;Wu Yung-Chun
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
37.Dynamic Switching Characteristics of 1 A Forward Current $oldsymbol{eta}$ -Ga₂O₃ Rectifiers

机译：1 A正向电流的动态开关特性 $ boldsymbol { beta} $ -Ga < sub> 2 O _{3 整流器}
- 作者：Yang Jiancheng;Ren Fan;Chen Yen-Ting;Liao Yu-Te;Chang Chin-Wei;Lin Jenshan;Tadjer Marko J.;Pearton S. J.;Kuramata Akito
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Gallium oxide;
- Schottky diode;
- rectifiers;
38.Silicon Photomultipliers With Area Up to 9 mm2 in a 0.35- $mu$ m CMOS Process

机译：面积达9 mm 2 的硅光电倍增管，其尺寸为0.35- $ mu $ m CMOS工艺
- 作者：Liang Xiao;DAscenzo Nicola;Brockherde Werner;Dreiner Stefan;Schmidt Andrei;Xie Qingguo
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
39.Raised Body Doping-Less 1T-DRAM With Source/Drain Schottky Contact

机译：具有源/漏肖特基接触的高体掺杂少1T-DRAM
- 作者：Lin Jyi-Tsong;Sun Wei-Tse;Lin Hung-Hsiu;Chen Yi-Jie;Navlakha Nupur;Kranti Abhinav
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- 1T-DRAM;
- doping-less;
- capacitorless;
- Schottky source/drain;
- raised body;
40.Ferroelectric HfO₂ Tunnel Junction Memory With High TER and Multi-Level Operation Featuring Metal Replacement Process

机译：铁电HfO _{2 隧道结存储器，具有高TER和具有金属置换工艺的多级操作}
- 作者：Kobayashi Masaharu;Tagawa Yusaku;Mo Fei;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- Ferroelectric tunnel junction (FTJ);
- ferroelectric HfO2;
- tunneling electroresistance;
41.Investigation of Nitrous Oxide Nitridation Temperatures on P-Type Pi-Gate Poly-Si Junctionless Accumulation Mode TFTs

机译：P型Pi-Gate多晶硅无结累积模式TFT上一氧化二氮氮化温度的研究
- 作者：Hsieh Dong-Ru;Lin Kun-Cheng;Chao Tien-Sheng
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
42.Effect of Hot Electron Stress on AlGaN/GaN HEMTs of Hydrogen Poisoning

机译：热电子应力对氢中毒AlGaN / GaN HEMT的影响
- 作者：He J.;Chen Y. Q.;He Z. Y.;En Y. F.;Liu C.;Huang Y.;Li Z.;Tang M. H.
- 期刊名称：《Electron Devices Society, IEE》 | 2019年第2019期
- GaN HEMT;
- hydrogen poisoning;
- hot electron stress;

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