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Symposium on semiconductor process and device performance modelling
Symposium on semiconductor process and device performance modelling
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1.
The effect of a thin sample on the extended defect evolution in Si~+ implanted Si
机译:
薄样本对Si +植入Si的延长缺陷演化的影响
作者:
Jing-Hong Li
;
Kevin S. Jones
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
关键词:
Silicon;
Implantation;
{311} Defects;
TEM;
2.
Use of rigorous three-dimensional electromagnetic simulation to evaluate the effectiveness of optical proximity correction for nonplanar lithography
机译:
使用严格的三维电磁仿真来评估非平面光刻光学邻近校正的有效性
作者:
M. S. Yeung
;
E. Barouch
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
3.
A three-dimensional monte carlo model for phosphorus implants into (100) single-crystal silicon
机译:
用于磷植入物进入(100)单晶硅的三维蒙特卡罗模型
作者:
Myung-Sik Son
;
Ho-Jung Hwang
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
4.
The application of GaAs tcad industry
机译:
GaAs TCAD行业的应用
作者:
P. A. Blakey
;
K. Johnson
;
C. Recker
;
S. Varadarajan
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
5.
Atomic dynamics during silicon oxidation and the nature of defects at the Si-SiO_2 interface
机译:
硅氧化过程中的原子动力学和Si-Si-SiO_2接口的缺陷性质
作者:
S. T. Pantelides
;
M. Ramamoorthy
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
6.
Chemical kinetics models for semiconductor processing
机译:
半导体加工的化学动力学模型
作者:
Michael E. Coltrin
;
Ellen Meeks
;
Joseph F. Grcar
;
William G. Houf
;
Robert J. Kee
;
J. Randall Creighton
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
7.
The roles of '3d/2d' and '3d/3d' topography simulators in virtual wafer fabs
机译:
“3D / 2D”和“3D / 3D”地形模拟器在虚拟晶圆厂的角色
作者:
T. S. Cale
;
T. P. Merchant
;
L. J. Borucki
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
8.
Modeling and 2D numerical simulation of transient phenomena in floating body soi mosfets
机译:
浮体SOI MOSFET中瞬态现象的建模与2D数值模拟
作者:
A.M. Ionescu
;
F. Chaudier
;
A. Chovet
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
9.
A new practical approach to implement a transient enhanced diffusion model into fem-based 2-D process simulator
机译:
一种实现瞬态增强扩散模型的新实用方法,进入有限元的2-D流程模拟器
作者:
Noriyuki Sugiyasu
;
Kaina Suzuki
;
Syuichi Kojima
;
Yasushi Ohyama
;
Hiroshi Goto
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
10.
Modeling of atom diffusion and segregation in semiconductor heterostructures
机译:
半导体异质结构原子扩散与偏析的建模
作者:
Hartmut Bracht
;
Wladek Walukiewicz
;
Eugene E. Haller
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
11.
An atomic-scale derived continuous approach for the anisotropic etching
机译:
各向异性蚀刻的原子级推导的连续方法
作者:
N.Moldovan
;
S. Nedelcu
;
H. Camon
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
12.
Gold diffusion in silicon during gettering by an aluminum layer
机译:
铝层在硅层期间在硅中扩散
作者:
Subhash M. Joshi
;
Ulrich M. Gosele
;
Teh Y. Tan
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
13.
Computer simulation of thermomigration process
机译:
热迁移过程的计算机模拟
作者:
V. Yu. Gershanov
;
S.I. Garmashov
;
A.R. Minyaev
;
A.V. Beletskaya
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
14.
First-principles study of point-defect production in Si and SiC
机译:
SI和SIC点缺陷生产的第一原理研究
作者:
W. Windl
;
T. J. Lenosky
;
J. D. Kress
;
A. F. Voter
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
15.
Light-controlled switching transients in mis silicon structures with multichannel insulator: physical processes and new device modelling
机译:
MIS硅结构中的轻控制切换瞬态,具有多通道绝缘子:物理过程和新设备建模
作者:
A. Malik
;
R. Martins
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
16.
Physical model and numerical results of dissociation kinetics of hydrogen-passivated Si/SiO_2 interface defects
机译:
氢钝化Si / SiO_2接口缺陷解离动力学的物理模型和数值结果
作者:
G.V. Gadiyak
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
17.
Finite Element Analysis of a MOCVD Reactor Having a Close-Spaced Injector
机译:
具有近距离喷射器的MOCVD反应器的有限元分析
作者:
Yang Ren Sun
;
David W. Weyburne
;
Qing S. Paduano
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
18.
Computationally efficient model for 2D ion implantation simulation
机译:
2D离子植入模拟的计算上高效模型
作者:
Misha Temkin
;
Ivan Chakarov
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
19.
Simulation study of ibe process for III-V compounds in mesa and trenches
机译:
IBE工艺对Mesa和Trenches中的III-V化合物过程的仿真研究
作者:
L. Houlet
;
A. Rhallabi
;
G. Turban
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
20.
Optimal design of stagnation-flow movpe reactors with axisymmetric multi-aperture inlets
机译:
具有轴对称多孔入口的停滞流动MOVPE反应器的最佳设计
作者:
V. Gupta
;
C. Theodoropoulos
;
J.D. Peck
;
T.J. Mountziaris
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
21.
Modelling analysis of oxygen transport during czochralski growth of silicon crystals
机译:
硅晶体Czochralski生长期间氧气运输的建模分析
作者:
Yu. E. Egorov
;
Yu. N. Makarov
;
E. A. Rudinsky
;
E. M. Smirnov
;
A. I. Zhmakin
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
22.
Atomic Force Microscope Study of Two-Dimensional Dopant Delineation by Selective Chemical Etching
机译:
选择性化学蚀刻二维掺杂剂描绘的原子力显微镜研究
作者:
Kwang-Ki Choi
;
Tae-Yeon Seong
;
Seonghoon Lee
;
Hyunsang Hwang
;
Yong Sun Sohn
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
23.
Nucleation and growth of voids in silicon
机译:
硅中空隙的成核和生长
作者:
P. S. Plekhanov
;
U. M. Gosele
;
T. Y. Tan
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
24.
Fermi-level effect on group III atom interdiffusion in III-V compounds: bandgap heterogeneity and low silicon-doping
机译:
III-V化合物III族原子间相互作用的FERMI水平效应:带隙异质性和低硅掺杂
作者:
C.-H. Chen
;
U. Gosele
;
T. Y. Tan
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
25.
Effects of Compositional Segregation and Short Channel on Threshold Voltage of nMOSFET
机译:
组成偏析和短通道对NMOSFET阈值电压的影响
作者:
Julie Y.H. Lee
;
Tom C. H. Lee
;
Mike Embry
;
Keenan Evans
;
Dan Koch
;
Robert Tucker
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
26.
Towards the optimization of amt barrel reactors for silicon epitaxy
机译:
朝向硅外延的AMT桶反应器的优化
作者:
M. Masi
;
G. Radaelli
;
N. Roda
;
P. Raimondi
;
S. Carra
;
G. Vaccari
;
D. Crippa
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
27.
Influence of rtp on vacancy concentrations
机译:
RTP对空位浓度的影响
作者:
M. Jacob
;
P. Pichler
;
M. Wohs
;
H. Ryssel
;
R. Falster
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
28.
A theoretical study on the fundamental chemical reactions in titanium plasma-enhanced cvd
机译:
钛等离子体增强CVD基本化学反应的理论研究
作者:
K. Tsuda
;
K. Watanabe
;
Y. Ohshita
;
T. Takada
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
29.
Atomistic modeling of the ion implantation step within a 2D process simulator
机译:
2D处理模拟器内的离子注入步骤的原子模型
作者:
Bruno Schmidt
;
Matthias Posselt
;
Norbert Strecker
;
Thomas Feudel
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
30.
Robust reaction-transport models of movpe reactors
机译:
MOVPE反应堆的强大反应运输模型
作者:
C. Theodoropoulos
;
H.K. Moffat
;
T.J. Mountziaris
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
31.
Demonstration of improved quantitative mobility spectrum analysis (i-QMSA)
机译:
改进定量迁移谱分析(I-QMSA)的示范
作者:
I. Vurgaftman
;
J. R. Meyer
;
C. A. Hoffman
;
D. Redfern
;
J. Antoszewski
;
L. Faraone
;
J. R. Lindemuth
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
32.
Modeling of grain structure evolution and its impact on the reliability of Al(Cu) thin film interconnects
机译:
晶粒结构演化的建模及其对Al(Cu)薄膜互连可靠性的影响
作者:
S.P. Riege
;
V. Andleigh
;
C.V. Thompson
;
H.J. Frost
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
33.
Modeling of the surface annihilation of excess self-interstitials generated by gold diffusion into silicon
机译:
黄金扩散生成硅产生的过量自肤间纤维化的表面湮灭
作者:
N.A. Stolwijk
;
W. Lerch
;
A. Giese
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
34.
Theoretical modeling and improved thermoelectric properties in (111) and (001) oriented PbTe/Pb_(1-x)Eu_xTe MQWs
机译:
(111)和(001)定向PBTE / PB_(1-X)EU_XTE MQWS的理论建模和改进的热电性能
作者:
T. Koga
;
S. B. Cronin
;
T. C. Harman
;
X. Sun
;
M. S. Dresselhaus
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
35.
Defect reactions induced by reactive ion etching
机译:
反应离子蚀刻诱导的缺陷反应
作者:
Song Zhao
;
Lionel C. Kimerling
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
36.
Arsenic deactivation in silicon
机译:
硅砷停用
作者:
M.A. Berding
;
A. Sher
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
37.
3D Atomistic Simulations of Submicron Device Fabrication
机译:
亚微米器件制造的3D原子模拟
作者:
Marius M. Bunea
;
Scott T. Dunham
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
38.
Charge transfer modeling for charge-coupled devices
机译:
电荷耦合器件的电荷转移建模
作者:
James P. Lavine
;
Eric G. Stevens
;
Edmund K. Banghart
;
Eugene A. Trabka
;
Bruce C. Burkey
;
David J. Schneider
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
39.
Simulation of under- and supersaturation of gallium vacancies in gallium arsenide during silicon in- and outdiffusion
机译:
硅内砷化镓中镓缺失的底层和过饱和的模拟
作者:
C.-H. Chen
;
U. Gosele
;
T. Y. Tan
;
Materials Research Society
会议名称:
《Symposium on semiconductor process and device performance modelling》
|
1998年
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