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International Conference on Ion Implantation Technology
International Conference on Ion Implantation Technology
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1.
Carbon co-implantation for ultra-shallow P/sup +/-N junction formation
机译:
用于超浅p / sup +/-n结形成的碳共注入
作者:
Craig M.
;
Sultan A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
2.
New developments in SDS gas source technology for ion implantation
机译:
离子植入SDS气源技术的新发展
作者:
McManus J.V.
;
Edwards D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
3.
Silicon ion beam epitaxy
机译:
硅离子束外延
作者:
Rabalais J.W.
;
Al-Bayati
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
4.
A study on the As redistribution in /spl beta/-FeSi/sub 2/ film prepared by reactive deposition epitaxy
机译:
反应沉积外延制备的/SPRβ/ -FESI /亚2 /薄膜中的重新分配研究
作者:
Lianwei Wang
;
Chenglu Lin
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
5.
The effect of beam scanning methods in process transfer
机译:
梁扫描方法在过程转移中的影响
作者:
Tripsas N.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
6.
Backside particle reduction on PI9500 series ion implanter
机译:
PI9500系列离子注入机的背面颗粒减少
作者:
Miura R.
;
Ishigaki H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
7.
Shallow junction formation by polyatomic cluster ion implantation
机译:
多原子聚类离子植入浅接线形成
作者:
Takeuchi D.
;
Shimada N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
8.
Effects of ion beam mixing on the formation of SiGe nanocrystals by ion implantation
机译:
离子束混合对离子注入形成SiGe纳米晶体的影响
作者:
Zhu J.G.
;
White C.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
9.
N-channel MOS FET degradation by source/drain implantation
机译:
N沟道MOS FET通过源/排水植入劣化
作者:
Fuse G.
;
Shibata S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
10.
Low energy, low dose performance of a high energy implanter
机译:
能量低,低能量注入机的低剂量性能
作者:
Dyer D.E.
;
St. Angelo D.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
11.
A study of wafer charging with CHARM-2 and large area capacitor monitors
机译:
用魅力-2和大面积电容器监测晶圆充电研究
作者:
Current M.I.
;
de Haan S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
12.
Performance and lifetime of the extended life ion source
机译:
延长寿命离子源的性能和寿命
作者:
Horsky T.
;
Chen J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
13.
The effect of wells on gate oxide charging during plasma processing
机译:
孔对等离子体加工过程中孔栅氧化物充电的影响
作者:
Linder B.P.
;
En W.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
14.
Cooled electrostatic chuck for high current serial ion implantation
机译:
用于高电流串行离子植入的冷却静电夹头
作者:
Walther S.R.
;
Ballou J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
15.
Wafer charge neutralization systems-simulation and experiment
机译:
晶圆充电中和系统 - 仿真和实验
作者:
Mehta S.
;
Walther S.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
16.
The VIISion 80 and VIISion 200 ion implanter beam lines
机译:
Viision 80和Viision 200离子注入梁线
作者:
Renau A.
;
Smatlak D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
17.
The Applied Materials xRLEAP ion implanter for ultra shallow junction formation
机译:
用于超浅接线形成的应用材料XRLEAP离子注入机
作者:
England J.
;
Joyce L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
18.
Cluster ion implantation for shallow junction formation
机译:
浅结形成的簇离子植入
作者:
Matsuo J.
;
Takeuchi D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
19.
SiGe and SiGeC surface alloy formation using high dose implantation and solid phase epitaxy
机译:
使用高剂量植入和固相外延的SiGe和Sigec表面合金形成
作者:
Xiang Lu
;
Cheung N.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
20.
Ion implantation of large wafers and flat panel displays
机译:
大型晶片和平板显示器的离子植入
作者:
Aitken D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
21.
Low dose ion implantation characterization for Vt control
机译:
VT控制的低剂量离子植入特征
作者:
Short A.
;
Bala K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
22.
Low dose performance of a high current ion implanter in production
机译:
低电流离子注入机的低剂量性能
作者:
St. Angelo D.A.
;
Rendon M.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
23.
Purity of low energy beams in R.F. linear accelerator based implanters
机译:
R.F中低能束的纯度。基于线性加速器的植入机
作者:
McIntyre E.K. Jr.
;
Jones M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
24.
Proximity gettering of iron in separation-by-implanted-oxygen wafers
机译:
在逐个氧气晶片中接近铁的铁
作者:
Skorupa W.
;
Yankov R.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
25.
An electronic stopping power model for Monte Carlo and molecular dynamics simulation of ion implantation into silicon
机译:
蒙特卡罗电子停止电力模型及离子植入中的分子动力学模拟硅
作者:
Cai D.
;
Gronbech-Jensen N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
26.
Photoresist integrity during high energy implant
机译:
高能植入过程中的光致抗蚀剂完整性
作者:
Parrill T.M.
;
Jones M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
27.
Charging characteristics of high dose source implants of DMOS devices
机译:
DMOS器件高剂量源植入物的充电特性
作者:
Chen K.
;
Tai S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
28.
Annealing effects on surface morphology of Si(100)
机译:
退火对Si(100)表面形态的影响
作者:
Lee S.M.
;
Lee S.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
29.
Novel ion beam extraction assembly with improved lifetime for high current, low energy ion implanters
机译:
具有改进的高电流,低能量离子注入机的新型离子束提取组件
作者:
Povall S.
;
Loome D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
30.
Purity of high energy beams in R.F. linear accelerator based implanters
机译:
R.F中的高能梁的纯度。基于线性加速器的植入机
作者:
McIntyre E.K. Jr.
;
Jones M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
31.
A review of SIMS techniques for characterization of ultra low energy ion implants
机译:
超低能量离子植入物表征SIMS技术的综述
作者:
Smith S.P.
;
Chia V.K.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
32.
Synthesis of Si/Si/sub 1-x/Ge/sub x//Si heterostructures for device applications using Ge/sup +/ implantation into silicon
机译:
使用GE / SUP + /植入到硅的装置应用中的SI / SI / SUB 1-X / GE / SUB X // SI异质结构
作者:
Nejim A.
;
Cristiano F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
33.
Effect of additional low temperature RTA on ultra-shallow p/sup +/-n junction formation
机译:
额外的低温RTA对超浅p / sup +/-n结形成的影响
作者:
Kil-Ho Lee
;
Jae-Geun Oh
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
34.
SIMS and modeling of ion implants into photoresist
机译:
离子植入物到光致抗蚀剂中的SIMS和建模
作者:
Glawischnig H.
;
Parks C.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
35.
Source/drain profile engineering with plasma implantation
机译:
具有等离子体植入的源/漏电图工程
作者:
Jones E.C.
;
Cheung N.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
36.
Bernas source for the Precision Implant 9200
机译:
BernaS for Precision植入物9200
作者:
Vella M.C.
;
Hacker W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
37.
Leakage current evaluation for pn junctions formed in DC and RF MeV ion implanted wells
机译:
DC和RF MEV离子中形成的PN结的漏电流评估井
作者:
Yanagisawa Y.
;
Honda M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
38.
Ion beam induced deposition of tungsten on silicon
机译:
离子束在硅上诱导钨的沉积
作者:
McLaren M.G.
;
Carter G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
39.
Nondestructive determination of boron doses in semiconductor materials using neutron depth profiling
机译:
中子深度分析中半导体材料中硼剂量的无损测定
作者:
Onlu K.
;
Saglam M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
40.
Development of ECR sheet plasma source for ion-enhanced reactive sputter deposition
机译:
离子增强反应溅射沉积ECR板等离子体源的开发
作者:
Wakatsuchi M.
;
Ishii S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
41.
Activation study of boron doped ion beam synthesised Si-Ge
机译:
硼掺杂离子束合成Si-Ge的激活研究
作者:
Gwilliam R.M.
;
Curello G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
42.
Oxide charging induced by electron exposure in ion implantation: quantification and qualification
机译:
电子暴露在离子注入中诱导的氧化物充电:量化和资格
作者:
Stuber A.L.
;
Lowell J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
43.
Ranges and moments of depth distributions of boron and phosphorus implanted into silicon in the energy range 1.7-5.0 MeV with an Eaton NV-GSD/VHE implanter
机译:
硼和磷的深度分布的范围和磷在能量范围内的硅1.7-5.0meV与伊顿NV-GSD / VHE注入仪
作者:
Rubin L.
;
Shaw W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
44.
Introducing the NV-GSD/VHE very high energy implanter
机译:
介绍NV-GSD / VHE非常高的能量注入机
作者:
Wilson S.
;
McIntyre E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
45.
A physical model for the role of dose and dose rate on amorphous depth generation
机译:
一种物理模型,用于剂量和剂量率对非晶深度的作用
作者:
Prussin S.
;
Peng Fei Zhang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
46.
Improved pumping strategy for ion implanter end stations
机译:
改进离子植入机结束站的泵送策略
作者:
Lessard P.A.
;
Ash G.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
47.
Process performance of SDS, high pressure hydrides and solid vaporizer feed materials on a 9500/spl times/R ion implanter
机译:
SDS,高压氢化物和固体蒸发器进给材料的过程性能在9500 / SPL时/ R离子注入机上
作者:
Marin T.
;
Boyd W.G. Jr.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
48.
Energy dependence of transient-enhanced-diffusion in low energy high dose arsenic implants in silicon
机译:
瞬态增强型扩散在硅中低能量高剂量砷植入物的能量依赖性
作者:
Krishnamoorthy V.
;
Beaudet B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
49.
Minimizing particle contamination in high current ion implanters
机译:
最小化高电流离子注入机中的粒子污染
作者:
Mack K.E.
;
Angel G.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
50.
Implementation of a universal exhaust solution for implanter fire prevention
机译:
用于植入物防火的通用排气解决方案的实施
作者:
Murto R.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
51.
Comparison of sensitivity and precision of instruments used for monitoring low dose Si/sup +/ implant uniformity
机译:
用于监测低剂量Si / sup + /植入均匀性仪器敏感性和精度的比较
作者:
Rosenblatt D.H.
;
McMillen J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
52.
Implantation/diffusion process matching characterization via secondary ion mass spectrometry (SIMS)
机译:
通过次级离子质谱(SIMS)的植入/扩散过程匹配表征
作者:
Shifeng Lu
;
Golonka L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
53.
Current and emerging production applications/trends of MeV technology
机译:
电流和新兴生产应用/ MEV技术趋势
作者:
Borland J.O.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
54.
Epi avoidance for CMOS logic devices using MeV implantation
机译:
使用MEV植入的CMOS逻辑器件避免EPI避免
作者:
Borland J.O.
;
Wristers D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
55.
Accurate and precise mass determination for enhanced ion beam tuning efficiency
机译:
准确精确的质量测定,用于增强离子束调谐效率
作者:
Brown D.A.
;
Ackerman D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
56.
Self-supporting thin Si single crystals produced by ion implantation and selective etching techniques and several applications
机译:
通过离子注入和选择性蚀刻技术和几种应用自支撑薄Si单晶
作者:
Saitoh K.
;
Nakao S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
57.
The effect of end of range loops on transient enhanced diffusion in Si
机译:
范围循环结束对SI瞬态增强扩散的影响
作者:
Jones K.S.
;
Moller K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
58.
Elemental analysis of ion implantation added particles
机译:
离子植入粒子的元素分析
作者:
England J.
;
McLaren M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
59.
An accurate and computationally efficient model for phosphorus implants into (100) single-crystal silicon
机译:
用于磷植入物的准确和计算有效的模型进入(100)单晶硅
作者:
Morris S.
;
Ghante V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
60.
Process architectures using MeV implanted blanket buried layers for latch-up improvements on bulk silicon
机译:
使用MEV植入毯子埋藏层的过程架构,用于批量硅锁定改进
作者:
Rubin L.M.
;
Simonton R.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
61.
Thick photoresist outgassing during MeV implantation (mechanism and impact on production)
机译:
在MEV植入期间厚的光致抗蚀剂放入(机制和生产的影响)
作者:
Lee W.J.
;
Tokoro N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
62.
Optimal control of ion beam dynamics
机译:
离子束动力学的最佳控制
作者:
Viviani G.L.
;
Falco M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
63.
Dose and damage control of MeV-implants by photothermal heterodyne analysis
机译:
光热杂差分析对MeV植入物的剂量和损伤控制
作者:
Brand K.
;
Karge H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
64.
Ion implanter testing and process results using low pressure, zeolite-based gas bottles in medium and high current ion implanters
机译:
离子植入机测试和工艺使用低压,基于沸石的蒸气瓶中的中高电流离子注入机
作者:
Brown K.
;
Walther S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
65.
Enhanced ion implantation charging damage on thin gate oxide due to photoresist
机译:
由于光致抗蚀剂引起的薄栅极氧化物上的增强的离子注入充电损伤
作者:
Donggun Park
;
Chenming Hu
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
66.
A fast-response dual-crucible vaporizer for the Genus 1510/1520 MeV ion implanters
机译:
用于1510/1520 MEV离子注入机的快速响应双坩埚蒸发器
作者:
LaFontaine M.
;
Sakase T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
67.
Ion source improvement program for the Varian VIISion ion implanter
机译:
Varian Viision离子注入机的离子源改进程序
作者:
Gammel G.
;
Pennisi T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
68.
Energy contamination from multiple-charged ion implantation in conventional implanter
机译:
传统注入机中的多电荷离子注入的能量污染
作者:
Kubo T.
;
Hisaeda T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
69.
A technique for determining beam parallelism on a medium current implanter using the Therma-Wave Therma-Probe
机译:
一种用于使用Therma-Wave Therma探针确定介质电流注入机上的光束并行机的技术
作者:
Kamenitsa D.E.
;
Rathmell R.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
70.
Effect of antenna structures on charging damage in PIII
机译:
天线结构对PIII充电损伤的影响
作者:
En W.G.
;
Cheung N.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
71.
Formation of deep sub-micron buried channel pMOSFETs with plasma doping
机译:
具有等离子掺杂的深层埋藏通道PMOSFET的形成
作者:
Felch S.B.
;
Brunco D.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
72.
Annealing behavior of a doubly MeV implanted silicon
机译:
双重Mev植入硅的退火行为
作者:
Nam-Hoon Cho
;
Tae-Hoon Huh
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
73.
Implant 9500xR: a high productivity implantation system for 5E10-1E16 ion.cm/sup -2/ dose and 5 keV-750 keV energy applications
机译:
植入物9500xr:5E1010-1116 ION.CM/SUP-2 /剂量和5KEV-750KEV能量应用的高生产率植入系统
作者:
Adibi B.
;
Edwards P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
74.
Analytical techniques for measuring contamination introduced during ion implantation
机译:
用于测量离子植入过程中污染的分析技术
作者:
Biswas S.
;
McQuillan F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
75.
Ultra-shallow junction formation using very low energy B and BF/sub 2/ sources
机译:
使用非常低的能量B和BF / SUB 2 /源的超浅结形成
作者:
Osburn C.M.
;
Downey D.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
76.
Purity of low energy beams in R.F. linear accelerator based implanters
机译:
R.F中低能束的纯度。基于线性加速器的植入机
作者:
Mctntyre E.K. Jr.
;
Jones M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
77.
The lifetime distribution of excess carriers in H/sup +/ ion implanted silicon by photoconductive frequency resolved spectroscopy
机译:
通过光电导频分辨光谱分析H / SUP + /离子植入硅的多余载体的寿命分布
作者:
Niby M.A.
;
Daiqing Li
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
78.
Mechanisms of elemental contamination in ion implantation equipment
机译:
离子植入设备中元素污染机制
作者:
Wauk M.T.
;
Murrell A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
79.
Photoresist-enhanced wafer charging during high current ion implantation
机译:
在高电流离子植入过程中,光致抗蚀剂增强晶片充电
作者:
Dixon W.
;
Lukaszek W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
80.
Process performance of SDS, high pressure hydrides and solid vaporizer feed materials on a 9500/spl times/R ion implanter
机译:
SDS,高压氢化物和固体蒸发器进给材料的过程性能在9500 / SPL时/ R离子注入机上
作者:
Marin T.
;
Boyd W.G. Jr.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
81.
Ion implantation induced damage in relaxed Si/sub 1-x/Ge/sub x/
机译:
离子植入诱导放松Si / sub 1-x / ge / sub x /
作者:
Barklie R.C.
;
ORaifeartaigh C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
82.
Al precipitate evolution in epitaxial silicon layers induced by thermal oxidation
机译:
通过热氧化诱导的外延硅层中的Al沉淀速度
作者:
Rimini E.
;
Galvagno G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
83.
Two-dimensional beam plasma parameter maps for secondary electron, plasma bridge, and plasma cell floods
机译:
二级电子,等离子桥和等离子电池洪水的二维光束等离子体参数图
作者:
Kellerman P.
;
Benveniste V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
84.
Suppression of oxidation enhanced boron diffusion in silicon by carbon implantation and characterization of MOSFETs with carbon implanted channels
机译:
通过碳植入和具有碳植入通道的MOSFET在硅中抑制氧化增强的硼扩散
作者:
Ban I.
;
Ozturk M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
85.
Comparisons of UT-MARLOWE predictions of implant-induced damage with experimentally measured amorphous layer thicknesses
机译:
用实验测量无定形层厚度的植入物诱导损伤预测的UT-Marlowe预测的比较
作者:
Morris M.F.
;
Tian S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
86.
Metals-contamination-reduction program for the Varian EHP-220/500 medium-current ion implanter
机译:
Varian EHP-220/500中流离子注入机的金属污染减少计划
作者:
Swenson D.R.
;
Downey D.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
87.
Understanding implant damage by implant channeling profile measurements
机译:
了解植入渠道型材测量的植入损伤
作者:
Packan P.
;
Kennel H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
88.
On board statistical process control on the NV-GSD series ion implanter
机译:
关于NV-GSD系列离子注入机的统计过程控制
作者:
Sedgewick J.E.
;
Franceschelli A.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
89.
Ion implanter diagnostics using SurfaceSIMS
机译:
使用脸部的离子植入机诊断
作者:
Smith S.P.
;
Chia V.K.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
90.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
91.
A study of wafer charging with CHARM and SPIDER monitors
机译:
用魅力和蜘蛛显示器研究晶圆充电
作者:
Current M.I.
;
Shi J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
92.
Charge state contamination during ion implantation of triply charge phosphorus
机译:
电荷状态污染在三次电荷磷的离子植入过程中
作者:
Dyer D.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
93.
Impurity gettering in damaged regions of Si produced by high energy ion implantation
机译:
通过高能离子植入产生的Si受损区域的杂质吸收
作者:
Koegler R.
;
Panknin D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
94.
Particle transport reduction in a serial high current implanter
机译:
颗粒式高电流注入机减少
作者:
Walther S.R.
;
Sieradzki M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
95.
Short loop monitor for charging damage in implantation process
机译:
用于在植入过程中充电损坏的短环监测
作者:
Bersuker G.
;
Werking J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
96.
Advanced microwave ion source for 100 mA-class SIMOX ion implantation
机译:
100 MA-Class Simox Ion Inmentantation先进的微波离子源
作者:
Tokiguchi K.
;
Seki T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
97.
Analysis of sub-1 keV implants in silicon using SIMS, SRP, MEISS and DLTS: the xRLEAP low energy, high current implanter evaluated
机译:
使用SIMS,SRP,Meiss和DLT分析Silicon中的Sub-1 Kev植入物:XRLEAP低能量,高电流注入仪评估
作者:
Foad M.A.
;
England J.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
98.
Complete management of implant misprocessing risk through computer automation
机译:
通过计算机自动化完成植入物错误处理风险的管理
作者:
Axan B.
;
Pivin L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
99.
Investigation of negative charging with plasma flood gun (PFG) during high current implantation
机译:
高电流植入过程中等离子洪水(PFG)负荷的研究
作者:
Mehta S.
;
Axan B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
100.
Effect of F on B penetration through gate oxide for BF/sub 2/ implants used to obtain ultra-shallow junctions by RTA
机译:
F对B通过栅极氧化物的BF / Sub 2 /植入物的影响效果通过RTA获得超浅结的植入物
作者:
Sultan A.
;
Craig M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
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