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International Conference on Ion Implantation Technology
International Conference on Ion Implantation Technology
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1.
Toughening of thin films by high energy ion beams
机译:
高能离子束薄膜增韧
作者:
Jain A.
;
Loganathan S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
2.
SDS/sup TM/ gas source feed material systems for ion implantation
机译:
用于离子植入的SDS / SUP TM /气体源供给材料系统
作者:
Brown R.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
3.
Across-wafer channeling variations on batch implanters: a graphical technique to analyze spinning disk systems
机译:
跨晶圆窜谱窜谱值的变化:分析纺丝磁盘系统的图形技术
作者:
Jones M.A.
;
Sinclari F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
4.
Wafer temperature and stress profiles in an MeV ion implanter using the finite-element method
机译:
使用有限元法的MEV离子注入机中的晶片温度和应力分布
作者:
LaFontaine M.
;
Tokoro N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
5.
Medium and high energy phosphorus implants into silicon
机译:
中高能量磷植入硅
作者:
Whalen P.M.
;
Lavine J.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
6.
Production proven electrostatic platen for medium current implantation
机译:
生产经过验证的静电压板,用于中流植入
作者:
Frutiger W.
;
Eddy R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
7.
Use of accelerator mass spectrometry for trace element detection
机译:
使用加速器质谱进行痕量元素检测
作者:
Zhao Z.Y.
;
Mehta S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
8.
Surface processing by gas cluster ion beams
机译:
气体聚类离子束表面处理
作者:
Toyoda N.
;
Matsuo J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
9.
Productivity brush-up of the Nissin EXCEED2000 medium current implanter
机译:
NISSIN超过2000媒体电流植入机的生产率刷涂
作者:
Nagai N.
;
Naito M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
10.
Multicharged boron ions from pure elements evaporated in a 2.45-GHz ECR source
机译:
纯元素的多晶硅离子在2.45GHz ECR源中蒸发
作者:
Kato Y.
;
Fukukawa A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
11.
Ion optics of parallel scan implanter using two octupole deflectors
机译:
并联扫描刀口的离子光学器件使用两个Octupole偏转器
作者:
Tsukakoshi O.
;
Niikura I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
12.
Beam current and source life enhancement of the Bernas ion source for the Precision Implant 9500xR and xR80
机译:
用于精密植入物9500xr和XR80的伯纳离子源的光束电流和源寿命增强
作者:
Foad M.A.
;
Patel D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
13.
Production implant monitoring using the Therma-Probe 500
机译:
使用Therma-Probe 500的生产植入监测
作者:
Pearce N.
;
Li Zhou
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
14.
A recent study of the formation of SIMOX/SOI materials and their device applications
机译:
最近的初步研究了SIMOX / SOI材料及其装置应用的研究
作者:
Zhang J.P.
;
Li Y.X.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
15.
Moore's law: implications for ion implant equipment an equipment designer's perspective
机译:
摩尔定律:对离子植入设备的影响设备设计师的观点
作者:
White N.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
16.
Bernas ion source for Genus Tandetron ion implanters
机译:
Tandetron离子注入机的伯尔尼离子源
作者:
Sakase T.
;
Maciejowski P.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
17.
TEM investigation of C-Si defects in carbon implanted silicon
机译:
碳植入硅中C-Si缺陷的TEM研究
作者:
Werner P.
;
Koegler R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
18.
A comparison of boron and phosphorus diffusion and dislocation loop growth from silicon implants into silicon
机译:
硅植入物中的硼和磷扩散与脱位流入硅的比较
作者:
Jingwei Xu
;
Law M.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
19.
Performance characteristics of the Genus Inc. Tandetron/sup TM/ 1520 MeV ion implantation system
机译:
Genus Inc.的性能特征Tandetron / Sup TM / 1520 MeV离子植入系统
作者:
OConnor J.P.
;
Chase M.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
20.
Charge exchange effects in production high energy implanter dosimetry
机译:
生产高能植入机剂量测定法中的电荷交换效果
作者:
Meng-Gung Chen
;
Erokhin Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
21.
Low energy Ar/sup +/ cleaning, damage and sputtering of InP{100} surfaces
机译:
低能量AR / SUP + /清洁,伤害和溅射INP {100}表面
作者:
Sung M.M.
;
Lee S.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
22.
Role of silicon surface in the removal of point defects in ultra-shallow junctions
机译:
硅表面在超浅结中去除点缺陷中的作用
作者:
Sultan A.
;
Banerjee S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
23.
Ion implant related trends in devices and process engineering
机译:
离子植入物设备和工艺工程相关趋势
作者:
Greenwell D.W.
;
Brown R.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
24.
A novel ion source for high current ion implantation
机译:
高电流离子植入的新型离子源
作者:
Renau A.
;
Smatlak D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
25.
Plasma flood system-physics of low energy electron generation, plasma coupling, electron transport and surface charge neutralization on wafer
机译:
等离子体洪水系统 - 低能量电子发电,等离子耦合,电子传输和表面电荷中和晶片
作者:
Ito H.
;
Current M.I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
26.
Comparison of zero degree and tilted arsenic MDD implants
机译:
零度和倾斜砷MDD植入物的比较
作者:
Tripsas N.H.
;
Nayak D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
27.
Accurate dose matching measurements between different ion implanters
机译:
不同离子注入机之间的准确剂量匹配测量
作者:
Falk S.
;
Callahan R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
28.
Dose control of MeV-implantation by photoluminescence heterodyne technique
机译:
光致发光外差技术的含钼植入剂的剂量控制
作者:
Wagner M.
;
Geiler H.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
29.
Removal of hydrogen from 2H::Si(100) by sputtering and recoil implantation
机译:
通过溅射和反冲植入从2H :: Si(100)中除去氢气
作者:
Tesauro M.R.
;
Underwood G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
30.
Range and damage distributions in ultra-low energy boron implantation into silicon
机译:
超低能量硼植入到硅中的范围和损伤分布
作者:
Hatzopoulos N.
;
Suder S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
31.
Evaluation of Si pre-amorphization for obtaining ultra-shallow junctions
机译:
Si预混合中获得超浅结的评价
作者:
Sultan A.
;
Banerjee S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
32.
Energy values of very low-energy ion beams
机译:
非常低能量离子束的能量值
作者:
Sakudo N.
;
Hayashi K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
33.
In-plane texture study of the yttria-stabilized zirconia films fabricated by ion-beam-assisted deposition
机译:
离子束辅助沉积制造的氧化钇稳定氧化锆膜的面内纹理研究
作者:
Jun Yuan
;
Genqing Yang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
34.
Reduction of lateral parasitic current flow by buried recombination layers formed by high energy implantation of C or O into silicon
机译:
通过通过高能量植入C或O成硅,通过掩埋重组层减少横向寄生电流。
作者:
Bogen S.
;
Herden M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
35.
A new, in-line method for separating frontside/backside metalilic contamination from implantation
机译:
一种用于分离植入前/背面金属污染的新型,在线方法
作者:
Sherry J.
;
Lowell J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
36.
The Ibis 1000 SIMOX production implanter
机译:
IBIS 1000 SIMOX生产注入机
作者:
Ryding G.
;
Smick T.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
37.
Efficient medium current He/sup +/ beam extraction sustained by auxiliary plasma formation in the ion source by solid material
机译:
通过固体材料通过离子源中的辅助等离子体形成维持的高效培养基+ /梁提取
作者:
Kretly L.C.
;
de Queiroz J.E.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
38.
Effects of beam energy purity on junction depths in submicron devices
机译:
梁能量纯度对亚微米器件结深的影响
作者:
Rubin L.
;
Morris W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
39.
In-line detection of radial non-uniformity of V/sub T/-adjust implants in 200 mm wafers using Hg-probe C-V carrier depth profiling
机译:
使用HG-探针C-V载波深度分析
作者:
Weinzierl S.R.
;
Hillard R.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
40.
Buried layer/connecting layer high energy implantation for improved CMOS latch-up
机译:
掩埋层/连接层高能量植入改进的CMOS闩锁
作者:
Morris W.
;
Rubin L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
41.
LINAC simulation for high energy ion implantation
机译:
高能离子植入的LINAC仿真
作者:
Wan Z.
;
Saadatmand K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
42.
Ferromagnetic resonance investigations of ion beam modified Fe- and FeNi-films
机译:
离子束改性Fe和Feni-膜的铁磁共振研究
作者:
Kurowski D.
;
Meckenstock R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
43.
Machine and metrology issues for dose accuracy, repeatability, and uniformity of ion implanters
机译:
机器和计量问题用于剂量精度,可重复性和离子注入机的均匀性
作者:
Yarling C.B.
;
Current M.I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
44.
High frequency ion sources for ion implanters-theoretical and practical comparison
机译:
离子注入机的高频离子源 - 理论和实际比较
作者:
Ito H.
;
Sakudo N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
45.
Tungsten contamination in BF/sub 2/ implants
机译:
BF / Sub 2 /植入物中的钨污染
作者:
Liebert R.B.
;
Angel G.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
46.
Molecular dynamics simulation of low energy boron and arsenic implant into silicon
机译:
低能量硼和砷植入物的分子动力学模拟硅
作者:
Beardmore K.M.
;
Cai D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
47.
TED of boron in presence of EOR defects: the role of the evolution of Si self-interstitial supersaturation between the loops
机译:
在EOR缺陷存在下硼氏菌:SI自隙中饱和在循环之间的演变的作用
作者:
Bonafos C.
;
de Mauduit B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
48.
Factors affecting the design of the Applied Materials xR80 implant family
机译:
影响应用材料设计的因素XR80植入物家庭
作者:
Lowrie C.
;
England J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
49.
The beam performance of the Genus Tandetron 1520 MeV implanter
机译:
Tandetron 1520 Mev Implanter的束性能
作者:
Tokoro N.
;
Sakase T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
50.
The effect of radiation defects on the localization of nitrogen implanted into silicon
机译:
辐射缺陷对氮矿物定位成硅的影响
作者:
Danilin A.B.
;
Scherbachev K.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
51.
Low energy beam extraction in terms of magnetic field, electric field and ion optics
机译:
在磁场,电场和离子光学方面的低能量束提取
作者:
Ito H.
;
Bryan N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
52.
Characterization of P/sup +/ implanted SiO/sub 2/ powders
机译:
P / SUP + /植入SIO / SUB 2 /粉末的表征
作者:
Kajiyama K.
;
Suzuki Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
53.
Transient enhanced diffusion and defect studies in B implanted Si
机译:
B植入Si的瞬态增强扩散和缺陷研究
作者:
Liu J.
;
Krishnamoorthy V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
54.
Beam-plasma concepts for wafer charging control during ion implantation
机译:
离子植入期间晶片充电控制的光束等离子体概念
作者:
Current M.I.
;
Vella M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
55.
The use of a high current implanter for 5E10-E12 dose range implants
机译:
使用高电流注入器5E10-E12剂量范围植入物
作者:
Clarke N.L.H.
;
Wauk M.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
56.
Enhanced Bernas ion source for the Varian EHP-500 medium-current ion implanter
机译:
Varian EHP-500中流离子注入机增强伯尔尼离子源
作者:
Swenson D.R.
;
Renau A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
57.
Ion implantation by plasma immersion technique
机译:
等离子体浸泡技术的离子植入
作者:
Thomae R.
;
Bender H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
58.
Optimization of secondary electron flood design for the production of low energy electrons
机译:
高能电子生产二次电子洪水设计的优化
作者:
Reece R.N.
;
Erokhin Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
59.
Dopant cross-contamination reduction with a 3-position beamstop
机译:
用3位横梁减少掺杂剂交叉污染
作者:
Murrell A.
;
Wauk M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
60.
Molecular ion implantation technique for obtaining the same depth profile for the component atoms
机译:
用于获得组分原子的相同深度曲线的分子离子注入技术
作者:
Ishikawa J.
;
Tsuji H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
61.
Influence of photoresist on wafer charging during high current arsenic implant
机译:
光致抗蚀剂对高电流砷植入过程中晶片充电的影响
作者:
Lukaszek W.
;
Reno S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
62.
Thermawave/sup TM/ and substrate considerations for low dose implants
机译:
温度/ SUP TM /和低剂量植入物的基板注意事项
作者:
Lee R.M.
;
Castle M.D.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
63.
Implant activation and redistribution of dopants in GaN
机译:
GaN中掺杂剂的植入活化和再分配
作者:
Zolper J.C.
;
Pearton S.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
64.
Some basic considerations of sector magnets
机译:
扇区磁铁的一些基本考虑因素
作者:
Nobes M.J.
;
McLaren M.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
65.
Exploration and prevention of photo resist burning in a high current ion implanter
机译:
高电流离子注入机中光电抗蚀剂的探索与预防
作者:
Romig T.
;
Bishop M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
66.
Ion beam synthesis of nanocrystals and quantum dots in optical materials
机译:
光学材料中纳米晶体和量子点的离子束合成
作者:
White W.
;
Budai J.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
67.
In-situ RBS for oxygen ion implantation systems
机译:
用于氧离子植入系统的原位RBS
作者:
Farley M.
;
Alien L.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
68.
Ion beam synthesis of SiC in silicon-on-insulator
机译:
SiC在绝缘体中的离子束合成
作者:
Koegler R.
;
Reuther H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
69.
Profile analysis of a 0.25 /spl mu/m CMOS process
机译:
简介分析0.25 / SPL MU / M CMOS工艺
作者:
Current M.I.
;
Castle M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
70.
Micro uniformity in MeV implantation
机译:
MEV植入中的微观均匀性
作者:
Heden C.
;
Davis B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
71.
Detailed analysis and computationally efficient modeling of ultra-shallow as-implanted profiles obtained by low energy B, BF/sub 2/, and As ion implantation
机译:
通过低能量B,BF / SUB 2 /,作为离子注入而获得的超浅植入曲线的详细分析和计算高效建模
作者:
Parab K.B.
;
Morris M.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
72.
3D simulation code for the modelling of beam line optics
机译:
光束线光学建模的3D仿真代码
作者:
Foad M.A.
;
Harrison B.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
73.
The ion beam optics of a single wafer high current ion implanter
机译:
单晶片高电流离子注入机的离子束光学元件
作者:
White N.R.
;
Sieradzki M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
74.
Characterizing crystal lattice damage in high energy implants using interference contrast microscopy
机译:
使用干扰对比显微镜表征高能植入物中的晶格损伤
作者:
Flesher P.
;
Borden P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
75.
Replacing silicon monitors with in situ particle monitoring in the GSD200 ion implanter
机译:
用GSD200离子注入机中的原位粒子监测替换硅显示器
作者:
Malenfant J.
;
Sedgewick J.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
76.
Gate oxide damage measured with a unique GOI structure
机译:
栅极氧化物损伤用独特的果汁结构测量
作者:
Sam Leung
;
Ito H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
77.
New developments in SDS gas source technology for ion implantation
机译:
离子植入SDS气源技术的新发展
作者:
McManus J.V.
;
Edwards D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
78.
High current implanter dopant cross-contamination and its control
机译:
高电流注入仪掺杂剂交叉污染及其控制
作者:
Jiejie Xu
;
Lee H.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
79.
Effects of mixing low-Z gases on a 2.45-GHz multiply charged ion source
机译:
低Z气体对2.45GHz乘以带电离子源的影响
作者:
Kato Y.
;
Saitoh M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
80.
H/sup +/ implantation in Si for the void cut SOI manufacturing
机译:
H / SUP + /植入SI的空隙切割SOI制造
作者:
Hara T.
;
Kakizaki Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
81.
Characterization of surface barrier effects from Cu-implanted SiO/sub 2//Si interfaces
机译:
Cu型SiO / Sub 2 // Si接口的表面屏障效应的表征
作者:
Parks H.
;
Xiaodong Wang
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
82.
Fluorine effects in BF/sub 2//sup +/ implants at various energies
机译:
在各种能量的BF / sub 2 // sup + /植入物中的氟效应
作者:
Felch S.B.
;
Lee B.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
83.
In-situ ion beam profiling by fast scan sampling
机译:
通过快速扫描采样的原位离子束分布
作者:
Splinter P.
;
Sinclair F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
84.
Experimental design for equipment qualification and matching
机译:
设备资格和匹配的实验设计
作者:
Tripsas N.
;
Johnson R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
85.
Ion implantation damage in quarter micron CMOS technology
机译:
四分之一微米CMOS技术的离子植入损伤
作者:
Bala K.
;
Hoepfner J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
86.
Metals contamination reduction on the NV-8200P
机译:
金属污染NV-8200P
作者:
Rathmell R.D.
;
Brune A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
87.
UV curing and photoresist outgassing in high energy implantation
机译:
UV固化和光致抗蚀剂在高能量植入中排出
作者:
Jones M.A.
;
Erokhin Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
88.
End station and beam line design considerations for photoresist outgassing with high energy (MeV) ion implantation
机译:
具有高能量(MEV)离子植入的光致抗蚀剂分配的终端站和梁线设计考虑
作者:
OConnor J.P.
;
Tokoro N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
89.
Compact broad beam ion implantation of 25 keV N/sup +/ in silicon
机译:
紧凑的宽光束离子植入25 kev n / sup + /硅
作者:
Schlemm H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
90.
Effects of He-ion irradiation on the thermal depth profile of nickel
机译:
He离子辐射对镍热深度曲线的影响
作者:
Kurowski D.
;
Kalus G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
91.
Particle-scattering phenomenon of powders caused by charging voltage of the surface during ion implantation
机译:
离子注入期间表面充电电压引起的粉末散射现象
作者:
Ishikawa J.
;
Tsuji H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
92.
Scanned area and batch size effects on productivity for 150, 200 and 300 mm wafers
机译:
扫描区域和批量尺寸对生产率的效果150,200和300 mm晶片
作者:
Current M.I.
;
Kindersley P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
93.
Life below 1 keV ~ion implantation
机译:
生活低于1 kev〜离子植入
作者:
Moffett S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
94.
Anomalous peaks in mass spectra; effects of pre-analysis dissociation and charge exchange events
机译:
质谱中的异常峰;预分析解离和电荷交换事件的影响
作者:
Johnson R.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
95.
Suppression of ion-induced charge collection against soft-error
机译:
抑制离子诱导的电荷收集对软误差
作者:
Kishimoto T.
;
Takai N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
96.
Enhanced utilization of SDS cylinder gases on the Eaton NV 8200P ion implanter
机译:
增强了SDS气缸气体对伊顿NV 8200P离子注入机的利用率
作者:
Brubaker S.R.
;
Spears J.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
97.
Surface and interface roughness after thermal oxidation of As, B and Si implanted silicon wafers
机译:
热氧化后的表面和界面粗糙度,B和Si植入硅晶片
作者:
Raineri V.
;
Iacona F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
98.
Electrical characterisation of magnesium and tellurium implanted indium gallium arsenide
机译:
镁和碲的电气表征植入铟镓砷化物
作者:
Gwilliam R.M.
;
Anjum M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
99.
Ion implant COO modeling: does it give us what we want?
机译:
离子植入式COO建模:它给我们我们想要什么吗?
作者:
Beeston B.E.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
100.
Low energy beam extraction in terms of magnetic field, electric field and ion optics
机译:
在磁场,电场和离子光学方面的低能量束提取
作者:
Ito H.
;
Bryan N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
1997年
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