机译:2 MeV硼注入硅中次生缺陷的深度分布
机译:f注入硅中Hf的光致发光带在700 meV至950 meV的能量范围内
机译:研究重离子注入碳化硅中远超出预期范围的非晶化能
机译:使用Eaton NV-GSD / VHE注入机在1.7-5.0 MeV能量范围内注入硅中的硼和磷的深度分布的范围和矩
机译:离子注入的硼在硅中的扩散:晶格缺陷和共注入杂质的影响。
机译:蒙特卡洛计算能量范围为50–400 MeV的质子的EBT3和EBT-XD薄膜的质量阻止能力
机译:能量范围为0.1–1.5 MeV的硅中注入的硼和磷的分布
机译:计算离子范围和能量分布的计算时间