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Electron Devices Meeting, 1985 International
Electron Devices Meeting, 1985 International
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1.
Gyroklystrons—A new concept in high power tubes
机译:
陀螺速调管—大功率管的新概念
作者:
Wessel-Berg T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
2.
A CMOS device isolation structure using the selective-etch-and-refill-with-EPI (SEREPI) process
机译:
使用选择性蚀刻和再填充EPI(SEREPI)工艺的CMOS器件隔离结构
作者:
Kamins T.I.
;
Chiang S.Y.
;
Bradbury D.R.
;
Rao D.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
3.
Observation of negative conductance by sequential resonant tunneling through a one micron thick superlattice
机译:
通过一微米厚的超晶格的顺序共振隧穿观察负电导
作者:
Capasso F.
;
Mohammed K.
;
Cho A.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
4.
The SPT cell—A new substrate-plate trench cell for DRAMs
机译:
SPT单元—一种用于DRAM的新型衬底板沟槽单元
作者:
Lu N.
;
Cottrell P.
;
Craig W.
;
Dash S.
;
Critchlow D.
;
Mohler R.
;
Machesney B.
;
Ning T.
;
Noble W.
;
Parent R.
;
Scheuerlein R.
;
Sprogis E.
;
Terman L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
5.
The theory and operation of a multicavity high-harmonic gyro-klystron amplifier
机译:
多腔高谐波陀螺速调管放大器的原理与工作
作者:
Furuno D.S.
;
Luhmann N.C. Jr.
;
McDermott D.B.
;
Chu K.R.
;
Vitello P.
;
Ko K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
6.
Submillimeter-wave BWO's
机译:
亚毫米波BWO
作者:
Barnett L.R.
;
Baird J.M.
;
Grow R.W.
;
Holmes S.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
7.
An ultrahigh precision electron gun-tube alignment technique for millimeter-wave applications
机译:
用于毫米波应用的超高精度电子枪管对准技术
作者:
Grant T.J.
;
Alvord C.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
8.
DC and microwave performance of In
0.53
Ga
0.47
As-In
0.52
Al
0.48
As single quantum well MISFETS
机译:
In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As-In
0.52 inf> Al
0.48 inf>作为单量子阱MISFET的直流和微波性能
作者:
Seo K.S.
;
Nashimoto Y.
;
Bhattacharya P.K.
;
Gleason K.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
9.
Microwave physics of flame-sprayed Kanthal and other circuit loss coatings
机译:
火焰喷涂的Kanthal和其他电路损耗涂料的微波物理学
作者:
Karp A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
10.
TWT Efficiency enhancement with textured carbon surfaces on copper MDC electrodes
机译:
铜MDC电极上的纹理碳表面可提高TWT效率
作者:
Curren A.N.
;
Ramins P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
11.
New high speed long wavelength Al
0.48
In
0.52
As/Ga
0.47
In
0.53
As multiquantum well avalanche photodiodes
机译:
新型高速长波长Al
0.48 inf> In
0.52 inf> As / Ga
0.47 inf> In
0.53 inf>作为多量子阱雪崩光电二极管
作者:
Mohammed K.
;
Capasso F.
;
Allam J.
;
Cho A.Y.
;
Hutchinson A.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
12.
Application of the Shubnikov-de Haas effect in characterization of sub-100-NM channel SI MOSFETs
机译:
Shubnikov-de Haas效应在低于100NM沟道SI MOSFET表征中的应用
作者:
Chou S.Y.
;
Antoniadis D.A.
;
Smith H.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
13.
Planar InGaAs/InP photodiodes grown by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积法生长的平面InGaAs / InP光电二极管
作者:
Dupuis R.D.
;
Campbell J.C.
;
Velebir J.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
14.
Picosecond photodetectors fabricated in GaAs layers grown on silicon and silicon-on sapphire substrates
机译:
在硅和-蓝宝石衬底上生长的GaAs层中制造的皮秒光电探测器
作者:
Turner G.W.
;
Metze G.M.
;
Diadiuk V.
;
Tsaur B-Y.
;
Le H.Q.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
15.
The effects of write/erase cycling on data loss in EEPROMs
机译:
写/擦除循环对EEPROM中数据丢失的影响
作者:
Baglee D.A.
;
Smayling M.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
16.
Experimental superconducting-base transistor
机译:
实验性超导基极晶体管
作者:
Tamura H.
;
Fujimaki N.
;
Hasuo S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
17.
Extremely high transconductance (above 500 mS/mm) MOSFET with 2.5 nm gate oxide
机译:
具有2.5 nm栅极氧化物的极高跨导(500 mS / mm以上)MOSFET
作者:
Horiguchi S.
;
Kobayashi T.
;
Miyake M.
;
Oda M.
;
Kiuchi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
18.
Fabrication and properties of n-channel SiGe/Si modulation doped field-effect transistors grown by MBE
机译:
MBE生长的n沟道SiGe / Si调制掺杂场效应晶体管的制备及性能
作者:
Daembkes H.
;
Herzog H.-J.
;
Jorke H.
;
Kibble H.
;
Kasper E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
19.
A new degradation mechanism of current drivability and reliability of asymmetrical LDDMOSFET's
机译:
非对称LDDMOSFET的电流驱动性和可靠性的新退化机制
作者:
Mizuno T.
;
Matsumoto Y.
;
Sawada S.
;
Shinozaki S.
;
Ozawa O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
20.
A novel structure amorphous SiC:H emitter HBT using low temperature process
机译:
利用低温工艺的新型结构非晶SiC:H发射极HBT
作者:
Sasaki K.
;
Furukawa S.
;
Rahman M.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
21.
Si-Gate CMOS devices on a Si/CaF
2
/Si structure
机译:
Si / CaF
2 inf> / Si结构上的Si-Gate CMOS器件
作者:
Onoda H.
;
Katoh T.
;
Hirashita N.
;
Sasaki M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
22.
Ultra-high speed semiconductor lasers
机译:
超高速半导体激光器
作者:
Lau K.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
23.
A new self-aligned bipolar transistor using vertical nitride mask
机译:
使用垂直氮化物掩模的新型自对准双极晶体管
作者:
Chai S.H.
;
Lee J.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
24.
A sub-100 picosecond bipolar ECL technology
机译:
低于100皮秒的双极ECL技术
作者:
Vora M.
;
Ho Y.L.
;
Bhamre S.
;
Chien F.
;
Bakker G.
;
Hingarh H.
;
Schmitz C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
25.
A new 'SICOS' Schottky device
机译:
新型“ SICOS”肖特基器件
作者:
Okada Y.
;
Nakamura T.
;
Okabe T.
;
Nagata M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
26.
GaAs FET with a degenerate semiconductor gate
机译:
具有退化的半导体栅极的GaAs FET
作者:
Umemoto Y.
;
Takahashi S.
;
Ono Y.
;
Hashimoto N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
27.
A self-aligned short process for insulated gate transistors
机译:
绝缘栅晶体管的自对准短过程
作者:
Chow T.P.
;
Baliga B.J.
;
Gray P.V.
;
Chang M.F.
;
Pifer G.C.
;
Yilmaz H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
28.
Variation of lateral doping—A new concept to avoid high voltage breakdown of planar junctions
机译:
横向掺杂变化—一种避免平面结高电压击穿的新概念
作者:
Stengl R.
;
Gosele U.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
29.
MOS GTO—A turn off thyristor with MOS-controlled emitter shorts
机译:
MOS GTO-具有MOS控制的发射极短路的关断晶闸管
作者:
Stoisiek M.
;
Strack H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
30.
A 2.45 GHz power LD-MOSFET with reduced source inductance by V-groove connections
机译:
一个2.45 GHz功率LD-MOSFET,通过V型槽连接降低了源电感
作者:
Ishikawa O.
;
Yamada H.
;
Esaki H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
31.
A new interpretation of the time evolution of the RF electric field in a crossed-field device
机译:
对交叉场设备中RF电场时间演化的新解释
作者:
Thomas G.E.
;
Bollen W.M.
;
Kaup D.J.
;
Goplen B.
;
Ludeking L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
32.
A silicon magneto-coupler using a carrier-domain magnetometer
机译:
使用载域磁强计的硅磁耦合器
作者:
Goicolea J.I.
;
Muller R.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
33.
A new high density full CMOS SRAM cell using polysilicon interconnection structure
机译:
利用多晶硅互连结构的新型高密度全CMOS SRAM单元
作者:
Masuoka F.
;
Ochii K.
;
Masuda M.
;
Kobayashi K.
;
Kondo T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
34.
Probe-device detecting single carriers: A new method for deep level characterization with nanosecond resolution
机译:
探测设备检测单载波:一种纳秒级分辨率的深层表征新方法
作者:
Cova S.
;
Ripamonti G.
;
Lacaita A.
;
Soncini G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
35.
A high performance CMOS technology for 256K/1MB EPROMs
机译:
用于256K / 1MB EPROM的高性能CMOS技术
作者:
Gerosa G.
;
Hart C.
;
Harris S.
;
Kung R.
;
Weihmeir J.
;
Yeargain J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
36.
A new EPROM cell with a side-wall floating gate for high-density and high-performance device
机译:
具有侧壁浮栅的新型EPROM单元,用于高密度和高性能器件
作者:
Mizutani Y.
;
Makita K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
37.
A new programmable cell utilizing insulator breakdown
机译:
利用绝缘子击穿的新型可编程单元
作者:
Sato N.
;
Nawata T.
;
Wada K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
38.
A new process for one micron and finer CMOS
机译:
一种用于1微米及更细CMOS的新工艺
作者:
Martin R.A.
;
Lewis A.G.
;
Huang T.Y.
;
Chen J.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
39.
a-Si:H TFT array driven linear image sensor with capacitance coupling isolation structure
机译:
具有电容耦合隔离结构的a-Si:H TFT阵列驱动的线性图像传感器
作者:
Ito H.
;
Nishihara Y.
;
Nobue M.
;
Fuse M.
;
Nakamura T.
;
Ozawa T.
;
Tomiyama S.
;
Weisfield R.
;
Tuan H.
;
Thompson M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
40.
The operational characteristics of a static induction transistor(SIT) image sensor
机译:
静电感应晶体管(SIT)图像传感器的工作特性
作者:
Yusa A.
;
Nishizawa J.
;
Imai M.
;
Yamada H.
;
Nakamura J.
;
Mizoguchi T.
;
Ohta Y.
;
Takayama M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
41.
High capacitance ultra-thin Ta
2
O
5
dielectric film applied to a high-speed bipolar memory cell
机译:
高电容超薄Ta
2 inf> O
5 inf>电介质膜应用于高速双极存储单元
作者:
Nishioka Y.
;
Homma N.
;
Shinriki H.
;
Mukai K.
;
Yamaguchi K.
;
Uchida A.
;
Higeta K.
;
Ogiue K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
42.
A three-dimensional DRAM cell of stacked switching-transistor in SOI (SSS)
机译:
SOI(SSS)中的堆叠开关晶体管的三维DRAM单元
作者:
Ohkura M.
;
Kusukawa K.
;
Sunami H.
;
Hayashida T.
;
Tokuyama T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
43.
High frequency noise in fine line NMOS field effect transistors
机译:
细线NMOS场效应晶体管中的高频噪声
作者:
Jindal R.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
44.
Planar-type InAs-coupled three-terminal superconducting devices
机译:
平面型InAs耦合三端超导器件
作者:
Takayanagi H.
;
Kawakami T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
45.
Reproducible fabrication of high-performance GaAs permeable base transistors
机译:
高性能GaAs渗透性基极晶体管的可复制制造
作者:
Hollis M.A.
;
Nichols K.B.
;
Murphy R.A.
;
Gale R.P.
;
Rabe S.
;
Piacentini W.J.
;
Bozler C.O.
;
Smith P.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
46.
Frontiers in solid state biomedical transducers
机译:
固态生物医学换能器的前沿
作者:
Ko W.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
47.
Novel submicron MOS devices by self-aligned nitridation of silicide (Sanicide)
机译:
通过硅化物(Sanicide)自对准氮化的新型亚微米MOS器件
作者:
Kaneko H.
;
Koyanagi M.
;
Shimizu S.
;
Kubota Y.
;
Kishino S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
48.
Microwave annealing for low temperature VLSI processing
机译:
用于低温VLSI处理的微波退火
作者:
Fukano T.
;
Ito T.
;
Ishikawa H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
49.
Modified LDD device structures for VLSI
机译:
用于VLSI的修改后的LDD器件结构
作者:
Bampi S.
;
Plummer J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
50.
Reliability and performance of submicron LDD NMOSFET's with buried As n-impurity profiles
机译:
埋入杂质浓度为n - sup>的亚微米LDD NMOSFET的可靠性和性能
作者:
Grinolds H.R.
;
Kinugawa M.
;
Kakumu M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
51.
Complementary heterostructure insulated gate field effect transistors (HIGFETs)
机译:
互补异质结构绝缘栅场效应晶体管(HIGFET)
作者:
Cirillo N.C. Jr.
;
Shur M.S.
;
Vold P.J.
;
Abrokwah J.K.
;
Daniels R.R.
;
Tufte O.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
52.
AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管
作者:
Izawa T.
;
Ishibashi T.
;
Sugeta T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
53.
GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors on Si substrates
机译:
硅衬底上的GaAs / AlGaAs异质结双极晶体管
作者:
Fischer R.
;
Klem J.
;
Gedymin J.S.
;
Henderson T.
;
Kopp W.
;
Morkoc H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
54.
Pre-bunched beam devices—Efficient sources of UHF and microwave power
机译:
预束束设备—UHF和微波功率的高效来源
作者:
Shrader M.
;
Preist D.
;
Gaiser B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
55.
Thin oxide reliability
机译:
薄氧化物的可靠性
作者:
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
56.
Scaling limitations of submicron local oxidation technology
机译:
亚微米局部氧化技术的规模限制
作者:
Hui J.
;
Voorde P.V.
;
Moll J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
57.
Formation of 0.1 µm N+/P and P+/N junctions by doped silicide technology
机译:
掺杂硅化物技术形成0.1 µm N + sup> / P和P + sup> / N结
作者:
Shone F.C.
;
Saraswat K.C.
;
Plummer J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
58.
1/4µm CMOS isolation technique with sidewall insulator and selective epitaxy
机译:
具有侧壁绝缘体和选择性外延的1 / 4µm CMOS隔离技术
作者:
Kasai N.
;
Endo N.
;
Ishitani A.
;
Kitajima H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
59.
Amorphous silicon bipolar transistor with high gain (>12) and high speed (>30µs)
机译:
具有高增益(> 12)和高速(> 30µs)的非晶硅双极晶体管
作者:
Chang C.Y.
;
Wu B.S.
;
Fang Y.K.
;
Lee R.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
60.
Characterization of GaAs integrated circuits by direct electro-optic sampling
机译:
通过直接电光采样表征GaAs集成电路
作者:
Weingarten K.J.
;
Rodwell M.J.W.
;
Freeman J.L.
;
Diamond S.K.
;
Bloom D.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
61.
Experimental determination of hot-carrier energy distribution and minority carrier generation mechanism due to hot-carrier effects
机译:
热载子效应引起的热载子能量分布及少数载流子产生机理的实验确定
作者:
Toriumi A.
;
Yoshimi M.
;
Iwase M.
;
Taniguchi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
62.
Multiple quantum well devices for optoelectronics
机译:
光电多量子阱器件
作者:
Wood T.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
63.
Transient substrate current generation and device degradation in CMOS circuits at 77K
机译:
CMOS电路中77K瞬态衬底电流的产生和器件性能下降
作者:
Ju D.-H.
;
Reich R.K.
;
Schrankler J.W.
;
Holt M.S.
;
Kirchner G.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
64.
Highly reliable one-micron-rule interconnection utilizing TiN barrier metal
机译:
使用TiN阻挡层金属的高度可靠的一微米规则互连
作者:
Maeda T.
;
Shima S.
;
Nakayama T.
;
Kakumu M.
;
Mori K.
;
Iwabuchi S.
;
Aoki R.
;
Matsunaga J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
65.
Buried storage electrode (BSE) cell for megabit DRAMs
机译:
用于兆位DRAM的埋入式存储电极(BSE)单元
作者:
Sakamoto M.
;
Katoh T.
;
Abiko H.
;
Shimizu T.
;
Mikoshiba H.
;
Hokari Y.
;
Hamano K.
;
Kobayashi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
66.
350V analog-digital compatible power IC technologies
机译:
350V模数兼容功率IC技术
作者:
Sugawara Y.
;
Miyata K.
;
Okamura M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
67.
High field effects in MOSFETS
机译:
MOSFET中的高场效应
作者:
Takeda E.
;
Ohji Y.
;
Kume H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
68.
Silicon sensor technologies
机译:
硅传感器技术
作者:
Petersen K.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
69.
A 1GHz-5mA/5V dual modulus GaAs prescaler IC
机译:
1GHz-5mA / 5V双模GaAs预分频器IC
作者:
Maemura K.
;
Takahashi T.
;
Inoue S.
;
Mitsui Y.
;
Orisaka S.
;
Ishihara O.
;
Otsubo M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
70.
Vacuum integrated circuits
机译:
真空集成电路
作者:
Greene R.
;
Gray H.
;
Campisi G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
71.
Ultralaminar 250 kV gun for fast-wave devices
机译:
用于快速波设备的250 kV超薄层喷枪
作者:
Merdinian G.
;
Miram G.
;
Jackson R.
;
Parker R.
;
Pershing D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
72.
Fabrication and characterization of sub-micron thin gate oxide p-channel transistors with p+ polysilicon gates
机译:
具有p +多晶硅栅极的亚微米薄栅极氧化物p沟道晶体管的制备与表征
作者:
Wenocur D.W.
;
Cham K.M.
;
Lin J.
;
Lau C.K.
;
Fu H.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
73.
Advanced analog CMOS technology
机译:
先进的模拟CMOS技术
作者:
Brown D.
;
Chu S.
;
Kim M.
;
Gorowitz B.
;
Milkovic M.
;
Nakagawa T.
;
Vogelsong T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
74.
Dynamic cross-coupled bitline content addressable memory cell for high density arrays
机译:
高密度阵列的动态交叉耦合位线内容可寻址存储单元
作者:
Wade J.P.
;
Sodini C.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
75.
Base current analysis of poly-Si emitter bipolar transistors
机译:
多晶硅发射极双极晶体管的基极电流分析
作者:
Benna B.
;
Meister T.
;
Schaber H.
;
Wieder A.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
76.
Long-life travelling-wave tubes use of 'M' type cathode life prediction model
机译:
长寿命行波管使用“ M”型阴极寿命预测模型
作者:
Shroff A.M.
;
Firmain G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
77.
Electrical characteristics of thin gate implanted MOS channels grown by rapid thermal processing
机译:
通过快速热处理生长的薄栅注入MOS沟道的电特性
作者:
Nulman J.
;
Scarpulla J.
;
Mele T.
;
Krusius J.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
78.
Two-dimensional silicon oxidation experiments and theory
机译:
二维硅氧化实验与理论
作者:
Dah-Bin Kao
;
McVittie J.P.
;
Nix W.D.
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
79.
2-D Simulations for accurate extraction of the specific contact resistivity from contact resistance data
机译:
从接触电阻数据准确提取比接触电阻率的二维模拟
作者:
Loh W.M.
;
Swirhun S.E.
;
Schreyer T.A.
;
Swanson R.M.
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
80.
Substrate current in N-channel and P-channel MOSFETs between 77K and 300K: Characterization and simulation
机译:
N沟道和P沟道MOSFET中的衬底电流在77K和300K之间:表征和仿真
作者:
Henning A.K.
;
Chan N.
;
Plummer J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
81.
RF beam spread in PPM confined-flow TWTs
机译:
PPM限制流TWT中的RF波束扩展
作者:
Ayers W.R.
;
Kalkanis G.A.
;
Nordquist A.L.
;
Vranas R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
82.
The free electron laser—Historical perspective, current status and future prospects
机译:
自由电子激光器的历史,现状和未来展望
作者:
Feinstein J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
83.
Process and device considerations for micron and submicron CMOS technology
机译:
微米和亚微米CMOS技术的工艺和设备注意事项
作者:
Parrillo L.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
84.
Relief of hot carrier constraint on submicron CMOS devices by use of a buried channel structure
机译:
通过使用掩埋沟道结构来缓解亚微米CMOS器件上的热载流子约束
作者:
Nakahara M.
;
Hiruta Y.
;
Noguchi T.
;
Yoshida M.
;
Maeguchi K.
;
Kanzaki K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
85.
High conversion efficiency and radiation resistant InP solar cell
机译:
高转换效率和抗辐射的InP太阳能电池
作者:
Itoh Y.
;
Ando K.
;
Yamaguchi M.
;
Uemura C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
86.
High performance AlGaAs visible (700 nm) LED on Si substrate prepared by MOCVD
机译:
通过MOCVD在Si基板上制备高性能AlGaAs可见光(700 nm)LED
作者:
Hashimoto A.
;
Kawarada Y.
;
Kamijoh T.
;
Akiyama M.
;
Watanabe N.
;
Sakuta M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
87.
A full three-dimensional simulation on alpha-particle induced DRAM soft-errors
机译:
阿尔法粒子引起的DRAM软错误的完整三维模拟
作者:
Masuda H.
;
Toyabe T.
;
Shukuri H.
;
Ohshima K.
;
Itoh K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
88.
Design of a 34.5 GHz 400 kilowatt CW gyroklystron amplifier
机译:
34.5 GHz 400千瓦连续波回旋速调管放大器的设计
作者:
Caplan M.
;
Neilson J.
;
Salop A.
;
Jory H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
89.
Self-consistent large theory and simulation of high harmonic gyrotron and peniotron oscillators operating in a magnetron-type cavity
机译:
在磁控管型腔中工作的高次谐波回旋和peniotron振荡器的自洽大理论和仿真
作者:
Rha P.S.
;
Barnett L.R.
;
Baird J.M.
;
Grow R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
90.
A high repetition rate compact 94GHz free electron laser
机译:
高重复频率的紧凑型94GHz自由电子激光器
作者:
McDermott D.B.
;
Nunan W.J.
;
Luhmann N.C. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
91.
A high transconductance GaAs MESFET with reduced short channel effect characteristics
机译:
具有减小的短沟道效应特性的高跨导GaAs MESFET
作者:
Ueno K.
;
Furutsuka T.
;
Toyoshima H.
;
Kanamori M.
;
Hagashisaka A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
92.
A high density GaAs static RAM process using MASFET
机译:
使用MOSFET的高密度GaAs静态RAM工艺
作者:
Kato N.
;
Hirayama M.
;
Asai K.
;
Matsuoka Y.
;
Yamasaki K.
;
Ogino T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
93.
A high sensitivity solid state sensor for H
2
detection in oxygen-rich ambients at room temperature
机译:
高灵敏度固态传感器,用于在室温下于富氧环境中检测H
2 inf>
作者:
Zheng Li
;
Fonash S.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
94.
A trench MOSFET with surface source/drain contacts
机译:
具有表面源极/漏极触点的沟槽MOSFET
作者:
Nakajima S.
;
Miura K.
;
Somatani T.
;
Arai E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
95.
A novel MOS device structure with S/D contacts over oxide (COO)
机译:
具有氧化物上S / D接触的新型MOS器件结构(COO)
作者:
Dennison C.H.
;
Wu A.T.
;
Ko P.K.
;
Drowley C.I.
;
Bradbury D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
96.
A 600°C process for MOSFET fabrication using microwave plasma-stream gate oxidation
机译:
使用微波等离子体流栅极氧化的MOSFET制造的600°C工艺
作者:
Warabisako T.
;
Kimura S.
;
Tokuyama T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
97.
A submicron NMOS technology suitable for low power high speed circuits
机译:
亚微米NMOS技术适用于低功率高速电路
作者:
Fichtner W.
;
Hofstatter E.A.
;
Watts R.K.
;
Bayruns R.J.
;
Bechtold P.F.
;
Johnston R.L.
;
Boulin D.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
98.
A sub-200 picosecond GaAs sample-and-hold circuit for a multi-gigasample/second integrated circuit
机译:
200皮秒以下GaAs采样保持电路,用于每秒数千兆采样的集成电路
作者:
Swierkowski S.
;
Mayeda K.
;
Cooper G.
;
McConaghy C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
99.
A dual buried layer technology for the fabrication of high voltage NPN devices compatible with a 1.5 micron epitaxial bipolar process
机译:
一种双埋层技术,用于制造与1.5微米外延双极工艺兼容的高压NPN器件
作者:
Tang A.Y.
;
Johnston R.
;
Meza P.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
100.
A model-base comparison: GaAs/GaAlAs HBT versus silicon bipolar
机译:
基于模型的Chomparison:Goss / Galas Hobbit与Silicon Bipolar
作者:
Kurata M.
;
Katoh R.
;
Yoshida J.
;
Akagi J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
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